选用STM32F101与外部AD CS5550。
刚刚触摸这个CS5550，感觉时序有点奇怪。尤其是读的时分，在后3个指节，还要写SYNCO.
刚开始对这个十分不了解。后来参阅了网上的一个程序。形似网上就只有一个程序。所以有一点了解。便是说，单片机在读CS5550的数据时（也便是读MISO）还要往CS5550（MOSI）写数据。
CS5550读写大致是这样的。
读写都要32个周期。
前8个周期读写都是相同的，便是都要先写地址，然后读/写 地址的内容。
可是读的时分在后24个周期的时分要写3次SYNCO（11111110）.这个是难点，简单被疏忽。
刚开始我也揣摩了好久。
后来总算柳岸花明。
然后便是周期的挑选，我是先低后高。看到网上许多程序都是先高后低。网上的程序我没有成功过。或许自己没设置好。
把自己的代码共享下，或许还有过错。我们能够点拨下。
总归写程序要有耐性，能够仿照他人，可是千万仿制。往往仿制的都会是有问题的。
//延时都是准确延时，时刻能够短一点没问题Delay_us(10)都行;
u32 Read_CS5550(u8 Read_Addr)
{
u8 Num;
u32 Read_Temp,Read_Data=0;
CS5550_CS_1;
Delay_us(50);
CS5550_CS_0;
Delay_us(100);
//数据手册上说每次写的时分要等24个周期。自己实验后不需要等。
for(Num=1;Num<=8;Num++)
{
if(Read_Addr&0x80)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(1);
SCK_1;
Delay_us(1);
Read_Addr=Read_Addr<<1;
}//写命令字
MOSI_1;
for(Num=1;Num<=24;Num++)
{
SCK_0;
Delay_us(20);
if(Num==7||Num==15||Num==23)//这里是难点，自己揣摩下。
MOSI_0;
if(Num==8||Num==16||Num==24)//这里是难点，自己揣摩下。
MOSI_1;
Read_Data=Read_Data<<1;
Read_Temp=MISO;
if(Read_Temp)
Read_Data=Read_Data+1;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
}
MOSI_1;
CS5550_CS_1;
Delay_us(200);
return Read_Data;
}
//READ 修正。。
void Write_CS5550(u8 Write_Addr,u32 Write_Data)
{
u8 num;
CS5550_CS_1;
Delay_us(50);
CS5550_CS_0;
Delay_us(50);
MOSI_1;
Delay_us(200);
for(num=1;num<=8;num++)
{
if(Write_Addr&0x80)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
Write_Addr=Write_Addr<<1;
}//写命令字
for(num=0;num<24;num++)
{
if(Write_Data&0x800000)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
Write_Data=Write_Data<<1;
}//写数据
MOSI_1;
SCK_0;
Delay_us(100);
CS5550_CS_1;
}
void Write_Command(u8 Command_Data)
{
u8 NUM;
CS5550_CS_1;
Delay_us(100);
CS5550_CS_0;
Delay_us(200);
for(NUM=1;NUM<=24;NUM++)
{
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
}
for(NUM=1;NUM<=8;NUM++)
{
if(Command_Data&0x80)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
Command_Data= Command_Data<<1;
}
for(NUM=1;NUM<=24;NUM++)
{
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
}
CS5550_CS_1;
SCK_1;
MOSI_1;
}
