LSI SandForce具体介绍了其下一代固态硬盘(SSD)控制器内置的全新纠错办法，称为SHIELD。SandForce在在加利福尼亚州圣克拉拉举行的Flash Memory Summit峰会上发表了这项全新的SHIELD技能，旨在延伸由更小的光刻工艺构建的NAND闪存的寿数。
像其他芯片相同，闪速存储器(Flash Memory)也不断地缩小尺度，以下降制作本钱和功耗。尽管这种尺度减小对存储器的每GB本钱有活跃的影响，但也使得NAND更简单发生差错。
LSI SandForce的开发SHIELD便是要处理这些问题，经过多层次的纠错。第一个纠错阶段，是“硬”低密度奇偶校验，或称HLDPC(hard low-density parity check)，适用于读恳求。HLDPC的低开支，并不影响功能，但还不足以全面捕捉一切的过错。
经过HLDPC的过错，由五个等级的“软”奇偶校验(SLDPC，soft parity checks. SLDPC)层处理。SLDPC层选用先进的噪声处理和信号处理进行纠错，每层逐渐添加更多的推迟。
SHIELD只在驱动器认为有必要时介入，并确认运用适宜的纠错等级，依据一些LSI没有发表的参数。假如过错持续经过五层SLDPC延伸，SHIELD还有最终一层，叫做RAISE。
RAISE操作相似RAID的冗余计划，相似于现在的SandForce控制器运用的，但添加了10毫秒的推迟。LSI表明，这最终一级纠错只在必要时慎重运用，由于需求额定的处理时刻。
依据技能陈述，新的芯片将在2013年第三季度被送往厂家进行采样，所以，装备SHIELD的LSI SandForce新芯片或许会在2013年末上市。
