在评论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收作用更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压能够压得更低(合理的参数调配，能够彻底吸收，简直看不到尖峰电压)，并且吸收损耗也更小。
整流二极管电压波形(RC吸收)
整流二极管电压波形(RCD吸收)
从这两张仿真图看来，其吸收作用适当，如不考虑二极管注册时高压降，能够以为吸收现已彻底。
试验往后，你应该会很惊喜，二极管能够选用贴片的(快速开关二极管，假如参数适宜，1N4148不错)，电阻电容都能够用贴片的。
此处的RCD吸收规划，能够这样以为：为了吸收振动尖峰，C应该有满足的容值，已便在吸收尖峰能量后，电容上的电压不会太高，为了平衡电容上的能量，电阻R需将存储在电容C中的漏感能量耗费掉，所以抱负的参数调配，是电阻耗费的能量刚好等于漏感尖峰中的能量(此刻电容C端电压刚好等于Uin/N+Uo)，由于漏感尖峰能量有许多不确定要素，计算法很难凑效，所以下面介绍一种试验方法来规划
1.选一个大些的电容(如100nF)做电容C，D选取一个够耐压>1.5*(Uin/N+Uo)的超快康复二极管(如1N4148);
2.能够选一个较小的电阻10K，1W电阻做吸收的R;
3.逐步加大负载，并调查%&&&&&%C端电压与整流管尖峰电压：
如C上电压纹波大于平均值的20%，需加大C值;
如满载时，C端电压高于Uin/N+Uo太多(20%以上，依据整流管耐压而定),阐明吸收太弱，需减小电阻R;
