对巨磁电阻传感器进行了研讨，介绍了巨磁电阻传感器的结构和屏蔽效果，选取电流检测作为巨磁电阻传感器在线性磁场丈量的代表，经过对巨磁电阻传感器测验和电流检测的测验，剖析了巨磁电阻传感器在磁场线性丈量方面的功能优胜性，给出了巨磁电阻传感器在磁场线性丈量方面的一些注意事项。
1.概述
磁场丈量在工业范畴具有广泛的运用，在磁场的脉冲量，开关量以及线性量的丈量中，运用最为广泛的是霍尔传感器，因为其较低的品种繁多的产品以及较低的本钱，使得霍尔传感器在磁场丈量范畴具有较高的位置。跟着巨磁电阻（GMR）传感器的成功研发，其优胜的功能越来越遭到人们的重视，使得GMR传感器在传统的磁场丈量范畴占有了一席之地。
在磁场丈量范畴，线性量的丈量对磁传感器功能具有比较高的要求。磁传感器的丈量规模，呼应频率，灵敏度以及温度适应性等一系列功能指标都对磁场的丈量具有较大的影响。
比较其他磁传感器，GMR传感器具有较宽的磁场丈量规模，较高的呼应频率和灵敏度以及较强的温度适应性，在磁场线性丈量范畴具有较为显着的优势。本文将以东方微磁公司出产的VA系列巨磁电阻磁传感器为例，介绍其特性、测验及相关运用。
2.GMR传感器的结构
2.1 传感器结构
VA系列巨磁电阻磁传感器选用惠斯通桥式结构，如图1所示的。图中，R1和R3是两个阻值相同的电阻，可随外界磁场的改变输出一个差分电压信号，R2和R4因为屏蔽层的效果不感应外界磁场的改变。
图1中的R2和R4上的暗影部分是传感器的合金屏蔽层，它有两个效果：一是屏蔽外磁场对电阻R2和R4的影响，使其不能感应待测场的改变；二是作为一个磁通集合器，将待测场集合在R1和R3周围，使传感器输出幅值增大，进步传感器的灵敏度。
3.GMR传感器的功能测验及运用测验
3.1 GMR传感器的输出功能测验
用于线性磁场丈量的GMR传感器应具有杰出的线性度，可丈量正反两个方向的磁场，因而，在测验芯片的挑选上可挑选双极性的GMR传感器直接进行测验或挑选单极性的GMR传感器对其进行偏置处理，将其零点举高。
图2是GMR传感器在磁场从负到正再回到起点的GMR传感器输出曲线，反响GMR传感器的线性特性，有图可知，GMR传感器线性功能较好，磁滞小，正向和反向重合性较好，整体来说该类型的GMR传感器芯片静态功能杰出。
3.2 GMR传感器温度漂移功能
将GMR芯片放入高低温无磁温度箱中，每隔10℃记载一次数据，监测传感器从-40℃~+125℃随温度改变的漂移性，详细如图3所示，芯片在整个温度规模内输出改变9.075mv，温度系数为0.055mV/℃，可见GMR传感器芯片的温度功能比较优胜。
