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单结晶体管作业原理

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单结晶体管工作


单结晶体管作业原理


    单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管,它是一种只要一个PN结和两个电阻触摸电极的半导体器材,它的基片为条状的高阻N型硅片,两头别离用欧姆触摸引出两个基极b1和b2。在硅片中心略偏b2一侧用合金法制造一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图1所示。 一、单结晶体管的特性


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从图1能够看出,两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻:
rbb=rb1+rb2
式中:rb1—-榜首基极与发射结之间的电阻,其数值随发射极电流ie而改变,rb2为第二基极与发射结之间的电阻,其数值与ie无关;发射结是PN结,与二极管等效。
若在阳奉阴违基极b2、b1间加上正电压Vbb,则A点电压为:
VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb
式中:η—-称为分压比,其值一般在0.3—0.85之间,假如发射极电压VE由零逐步添加,就可测得单结晶体管的伏安特性,见图2 
图2、单结晶体管的伏安特性


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(1)当Ve<η Vbb时,发射结处于反向偏置,管子截止,发射极只要很小的漏电流ICeo。
(2)当Ve≥η Vbb+VD VD为二极管正向压降(约为0.7伏),PN结正导游通,Ie明显添加,rb1阻值敏捷减小,Ve相应下降,这种电压随电流添加反而下降的特性,称为负阻特性。管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点,与其对就的发射极电压和电流,别离称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流,它是使单结晶体管导通所需的最小电流,明显Vp=ηVbb
(3)跟着发射极电流ie不断上升,Ve不断下降,降到V点后,Ve不在降了,这点V称为谷点,与其对应的发射极电压和电流,称为谷点电压,Vv和谷点电流Iv。
(4)过了V点后,发射极与榜首基极间半导体内的载流子达到了饱满状态,所以uc持续添加时,ie便缓慢地上升,明显Vv是保持单结晶体管导通的最小发射极电压,假如Ve<Vv,管子从头截止。


二、单结晶体管的主要参数
(1)基极间电阻Rbb 发射极开路时,基极b1、b2之间的电阻,一般为2–10千欧,其数值随温度上升而增大。
(2)分压比η 由管子内部结构决议的常数,一般为0.3–0.85。
(3)eb1间反向电压Vcb1 b2开路,在额外反向电压Vcb2下,基极b1与发射极e之间的反向耐压。
(4)反向电流Ieo b1开路,在额外反向电压Vcb2下,eb2间的反向电流。
(5)发射极饱满压降Veo 在最大发射极额外电流时,eb1间的压降。
(6)峰点电流Ip 单结晶体管刚开始导通时,发射极电压为峰点电压时的发射极电流

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