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HMC815BI/Q上变频器/发送器参数介绍及中文PDF下载

HMC815B相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,HMC815B供应信息可在查IC网搜索

HMC815B相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,HMC815B供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

HMC815B是一款紧凑的砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)上变频器,选用契合RoHS规范的封装,作业频率规模为21 GHz至27 GHz。该器材供给12 dB的小信号转化增益和20 dBc的边带按捺功能。HMC815B选用驱动放大器作业,前接由有源2×乘法器驱动LO的同相正交(I/Q)混频器。还供给IF1和IF2混频器输入,需经过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了搅扰边带滤波要求。

HMC815B为混合型单边带(SSB)下变频器的小型代替器材,它无需线焊,能够运用表贴制作技能。

HMC815B供给4.90 mm × 4.90 mm、32引脚LCC陶瓷封装,作业温度规模为−40°C至+85°C。如有需求,还可供给HMC815B评价板。

使用

  • 点到点及点到多点无线电
  • 军用雷达、电子战和电子情报
  • 卫星通信
  • 传感器

优势和特色

  • 转化增益:12 dB(典型值)
  • 边带按捺:20 dBc(典型值)
  • OP1dB紧缩:20 dBm(典型值)
  • OIP3:27 dBm(典型值)
  • 2× LO至RF阻隔:10 dB(典型值)
  • 2× LO至IF阻隔:15 dB(典型值)
  • RF回波损耗:12 dB(典型值)
  • LO回波损耗:15 dB(典型值)

HMC815B电路图

HMC815B

HMC815B中文PDF下载地址

HMC815B下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc815b.pdf

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