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RH1014M低功耗放大器(<1mA/放大器)参数介绍及中文PDF下载

RH1014M相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,RH1014M供应信息可在查IC网搜索

RH1014M相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,RH1014M供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

RH1014M 是首款对选用工业规范 8 引脚 DIP LM124/LM148/OP-11/5156 引脚装备的规划进行直接晋级的四通道精准运算放大器。低失调电压 (最大值为 300μV)、低漂移 (≤2.5μV/℃)、低失调电流 (≤1.5nA) 和高增益 (最小值为 120 万) 的组合使得 RH1014M 成为单个封装中的 4 个真实的精准放大器。

晶圆批次选用凌力尔特公司内部的 Class S 流程至良率电路进行处理,可在严厉的军事运用中运用的。

运用

  • 精细外表放大器
  • 应变仪信号调度器
  • 热电偶放大器
  • 4mA-20mA 电流回路发送器
  • 多约束门限检测
  • 有源滤波器
  • 多增益部件

优势和特色

  • 契合 MIL-PRF-38535 Class V 规范的版别 – 5962R89677
  • –55 至 +125°C 温度范围内的确保功能
    • 输入失调电压:550µV
    • 低失调电压漂移: 2.5µV/°C
    • 低失调电流:20nA
  • 增益带宽乘积:500kHz
  • 最小转化速率:0.2/mS
  • 低电流噪声:0.07pA/√Hz (典型值)
  • 最大电源电流:每个放大器 0.7mA
  • 电源电压 ±22V (肯定最大值)
  • 差分输入电压 ±30V (肯定最大值)
  • 单电源作业
  • 选用陶瓷组件式封装 (CERPAC) 和陶瓷 DIP 封装

辐射功能

  • 电离总剂量 (TID) 容限,依照 TM1019.8, MIL-STD-883 规范:
    • 200kRad (Si),依照 50Rads(Si)/sec 时的条件 A
    • 50kRad (Si),依照 10mRads(Si)/sec 时的条件 D
    • 低剂量率辐射损伤增强效应 (ELDRS) 超越 50kRad(Si)
  • 一起也请参阅 RH1013 产品网页以阅览辐射陈述

RH1014M电路图

RH1014M

RH1014M中文PDF下载地址

RH1014M下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/RH1014M.pdf

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