在当今的开关电源设备中，MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的作业功能发生严重影响。因而深化了解功率MOS管的作业原理和要害参数对电源规划工程师至关重要。
现在，影响开关电源电源功率最大的两个损耗要素是：导通损耗和开关损耗，以下分别对这两种损耗做详细分析。
导通损耗
导通损耗详细来讲是由MOS管的导通阻抗Rds发生的，Rds与栅极驱动电压Vgs和流经MOS管的电流有关。假如想要规划出功率更高、体积更小的电源，有必要充沛下降导通阻抗。如图1所示是导通阻抗Rds、Vgs和Id的曲线图：
图1：导通阻抗Rds与Vgs和Id的曲线图
开关损耗
栅极电荷Qg是发生开关损耗的主要原因。栅极电荷是MOS管门极充放电所需的能量，相同电流、电压标准的MOSFET，具有比较大的栅极电荷意味着在MOS开关进程中会损耗更多的能量。所以，为了尽可能下降MOS管的开关损耗，工程师在电源规划进程中需求挑选平等标准下Qg更低的MOS管作为主功率开关管。如图2所示是栅极电荷Qg与Vgs的曲线图：
图2：栅极电荷Qg与Vgs的曲线图
MOS管选型
针对开关电源的使用，美国中心半导体（Central Semi）推出了一系列低Rds和Qg的功率MOSFET。代表型号为CDM2205-800FP，该MOS管具有以下功能优势：
• 最大耐压为800V
• 最大接连电流5A
• 导通阻抗低至2.2Ω
• 栅极电荷Qg仅为17.4nC
如图3所示是CDM2205-800FP在反激开关电源中的使用。在电源规划器材选型中，首要依据电源的输入电压，确认器材所能接受的最大电压，额外电压越大，器材的本钱就越高。然后需求确认 MOS管的额外电流，该额外电流应该是负载在所有情况下可以接受的最大电流。保证所挑选的MOS管可以接受接连电流和脉冲尖峰。
图3：CDM2205-800FP在反激开关电源中的使用
