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ADG5434闩锁效应按捺和高ESD开关和多路利用器参数介绍及中文PDF下载

ADG5434相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,ADG5434供应信息可在查IC网搜索

ADG5434相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,ADG5434供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

ADG5433和ADG5434均为单芯片工业CMOS模仿开关,别离内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。

一切通道均选用先开后合式开关,避免开关通道时发作瞬时短路。ADG5433(LFCSP和TSSOP封装)供给EN输入,用来使能或禁用器材。禁用时,一切通道均关断。

这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平整度,关于低失真功能至关重要的数据收集和增益切换使用可谓抱负解决计划。

使用
继电器代替计划
自动测试设备
数据收集
仪器仪表
航空电子
音频和视频开关
通讯体系

产品聚集
– 沟道阻隔可避免闩锁。电介质沟道将P沟道与N沟道晶体管分隔,确保即便在严峻过压情况下,也不会发作闩锁现象。
– 低导通电阻 RON
– 双电源供电。关于双极性模仿信号使用,ADG5433/ADG5434能够选用最高±22 V的双电源供电。
– 单电源供电。关于单极性模仿信号使用,ADG5433/ADG5434能够选用最高40V的单电源供电。
– 3 V 逻辑兼容数字输入:VINH = 2.0 V, VINL = 0.8 V。
– 无需 VL 逻辑电源。

优势和特色

  • 无闩锁现象
  • 8 kV HBM ESD额定值
  • 低导通电阻:13.5 Ω
  • 双电源供电:±9 V至±22 V

ADG5434电路图

ADG5434

ADG5434中文PDF下载地址

ADG5434下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG5433_5434.pdf

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