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可控硅和固态继电器的差异是什么?

本站为您提供的可控硅和固态继电器的区别是什么?,可控硅可以是单向的,也可以是双向的,可以过零触发也可以移相触发,固态继电器同样是如此的。 所以,他们的用途、形式都是一样类型产品,从这一点上(使用的形式、性质角度)没有区别,因为固态继电器也是可控硅做的(三极管的固态继电器除外)。

固态继电器是无触点开关,由输入电路,阻隔(耦合)和输出电路三部分组成。输入端用细小的操控信号驱动大电流负载。固态继电器具有接触器相同的功用,其长处是输入功率小、灵敏度高、噪声低。运用固态继电器的模温机适用范围更广泛,也更安全。闻名的固态继电器品牌有美国快达(Crydom)、欧姆龙。 

可控硅和固态继电器的差异是什么?

问的很简练,且看似简略。而答的有三两句,有长篇大论乃至还用了两贴才算完事,可谓形形色色呀。一句问,成百句答。答清楚了吗?究竟可控硅和固态继电器的差异是什么?

可控硅可所以单向的,也可所以双向的,可以过零触发也可以移相触发,固态继电器相同是如此的。 所以,他们的用处、方式都是相同类型产品,从这一点上(运用的方式、性质视点)没有差异,因为固态继电器也是可控硅做的(三极管的固态继电器在外)。

那么他们的差异究竟在那呢?总不会一个东西,两个姓名吧?他们的差异就在于,可控硅便是可控硅,固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。

固态继电器仅仅相当于一个开关,不能调理电流。可控硅能操控其导通角,能调理电流的巨细。   

固态继电器其实也是以可控硅为首要部件而制造的,所不同的是,固态继电器动作电压与操控电压经过内部电路例如光耦进行别离的,假如你觉的猎奇的话我主张你拆一个固态继电器看看内部,假如你稍懂是电路常识,你完全可以依照里边的电路进行克己一个,呵呵!其实也不是难事,只不过少了一个美丽的外壳算了!   

可控硅可所以单向的,也可所以双向的,可以过零触发也可以移相触发,固态继电器相同是如此的。所以,他们的用处、方式都有相同类型产品,从这一点上(运用的方式、性质视点)没有差异,因为固态继电器也是可控硅做的(三极管的固态继电器在外)。

那么他们的差异究竟在那呢?总不会一个东西,两个姓名吧?他们的差异就在于,可控硅便是可控硅,固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。这便是差异。

现在有一种叫“智能化可控硅模块”,他把可控硅元件、同步触发驱动做在一个模块里了,这种可控硅与固态继电器现已无法差异了。当然,从形状上可以差异。

可控硅和固态继电器的差异是什么?

可控硅的作业原理及根本特性  

1、作业原理   

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,剖析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1所示    

当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于扩大状况。此刻,假如从操控极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2扩大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此刻,电流ic2再经BG1扩大,所以BG1的集电极电流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的成果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱满导通。   

因为BG1和BG2所构成的正反馈效果,所以一旦可控硅导通后,即便操控极G的电流消失了,可控硅依然可以保持导通状况,因为触发信号只起触发效果,没有关断功用,所以这种可控硅是不行关断的。   

因为可控硅只需导通和关断两种作业状况,所以它具有开关特性,这种特性需求必定的条件才干转化。     

状况 条件 阐明  

从关断到导通 

1、阳极电位高所以阴极电位  

2、操控极有满足的正向电压和电流  

两者缺一不行  

保持导通 1、阳极电位高于阴极电位  2、阳极电流大于保持电流  两者缺一不行  

从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位  2、阳极电流小于保持电流  任一条件即可   

2、根本伏安特性   

(1)反向特性   

当操控极开路,阳极加上反向电压时,J2结正偏,但J1、J2结反偏。此刻只能流过很小的反向饱满电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流敏捷添加,图3的特性开端曲折,如特性OR段所示,曲折处的电压URO叫“反向转机电压”。此刻,可控硅会发作永久性反向击穿。     

(2)正向特性   

当操控极开路,阳极上加上正向电压时,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与一般PN结的反向特性类似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状况,当电压添加,图3的特性发作了曲折,如特性OA段所示,曲折处的是UBO叫:正向转机电压    

因为电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发作雪崩倍增效应,在结区发生很多的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区经过J1结注入N1区的空穴复合,相同,进入P2区的空穴与由N2区经过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能悉数复合掉,这样,在N1区就有电子堆集,在P2区就有空穴堆集,成果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只需电流稍添加,电压便敏捷下降,呈现所谓负阻特性。   

这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状况---通态,此刻,它的特性与一般的PN结正向特性类似,。  

3、触发导通   

在操控极G上参加正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,构成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈效果(见图2)的基础上,加上IGT的效果,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。 

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