硅光电池结构
硅光电池结构如图２．４—１所示。使用硅片制成ＰＮ结，在Ｐ型层上贴一栅形电极，Ｎ型层上镀背电极作为负极。电池外表有一层增透膜，以削减光的反射。因为大都载流子的分散，在Ｎ型与Ｐ型层间构成阻挡层，有一由Ｎ型层指向Ｐ型层的电场阻挠大都载流子的分散，可是这个电场却能协助少量载流子经过。当有光照耀时，半导体内发生正负电子对，这样Ｐ型层中的电子分散到ＰＮ结邻近被电场拉向Ｎ型层，Ｎ型层中的空穴分散到ＰＮ结邻近被阻挡层拉向Ｐ区，因而正负电极间发生电流；如中止光照，则少量载流子没有来历，电流就会中止。硅光电池的光谱灵敏度最大值在可见光红光邻近（８００ｎｍ），截止波长为１１００ｎｍ。图２．４—２表明硅光电池灵敏度的相对值。
图２．４—１ 硅光电池结构
图２．４—２ 硅光电池的光谱灵敏度
使用时留意，硅光电池质脆，不行用力按压。不要拉动电极引线，避免掉落。电池外表勿用手摸。如需整理外表，可用软毛刷或酒精棉，避免损害增透膜。
