您的位置 首页 厂商

ROHM为新基建带来的功率器材和电源产品

1 无线基站罗姆(ROHM)针对无线基站推出了多款解决方案,包括一系列高耐压MOSFET和高效率DC/DC转换器等,有助于降低功耗。 SiC MOSFET具有高耐压、高速开关、低导通电阻的特性,即使在

1 无线基站

罗姆(ROHM)针对无线基站推出了多款解决方案,包含一系列高耐压MOSFET和高效率DC/DC转换器等,有助于下降功耗。 

SiC MOSFET具有高耐压、高速开关、低导通电阻的特性,即便在高温环境下也能显现超卓的电器特性,有助于大幅下降开关损耗和周边零部件的小型化。罗姆备有650V、1200V、1700V SiC MOSFET产品。其间,第3代沟槽栅型SiC MOSFET SCT3系列有650 V和1 200 V的六款产品,特点是导通电阻比第2代平面型产品小50%,这使其十分合适需求高效率的大型服务器电源、UPS体系、太阳能转换器以及电动轿车充电桩。SCT3系列以能更大极限进步开关功用的4引脚封装(TO-247-4L)(图1右)方法供给。与传统3引脚封装类型比较,开关损耗最大能够削减35%,有助于在各种运用中下降功耗。此外,与传统3引脚封装SiC MOSFET中的栅极电压因电源终端的电感元件而下降、导致开关速度推迟不同的是,这种新式4引脚封装包含的栅极驱动器电源终端与传统电源终端别离,可更大极限削减栅极电压的下降,然后能够大幅度进步开关功用。

image.png

图1 罗姆第3代沟槽栅型SiC MOSFET SCT3系列

2 80V工业运用

罗姆的耐高压DC/DC转换器输入电压达80V,输出电流达3A,支撑广泛的工业运用。其间, BD9G341AEFJ-LB(图2)内置80V耐压3.5A额定电流、导通电阻150mΩ的功率MOSFET,还通过电流形式操控方法,完成了高速瞬态响应和简洁的相位补偿设定。频率在(50~750)kHz的范围内可变,内置低电压误动作避免电路、过电流维护电路等维护功用。此外,可通过高精度的EN引脚阈值进行低电压确定,及运用外接电阻设定滞后。

image.png

图2 罗姆耐高压DC/DC转换器BD9G341AEFJ-LB

3 48V轿车、工业与基站设备

此外,在罗姆高耐压、同步整流降压DC/DC转换器产品中,BD9V101MUF-LB(图3)选用了罗姆专有的超高速操控技能——Nano Pulse Control,开关导通时间短,运用单芯片即可从48V转换为3.3V(2.1MHz开关频率下)。DC/DC转换器的单芯片化与运用2个芯片比较,能够大大削减包含外围零件在内的零件数量,特别是频率的进步,使线圈的大幅小型化成为可能。因而,不只完成了运用的小型化、体系简化,还下降了本钱。轻度混合动力轿车自不必说,在工业机器人、基站的辅佐电源等选用48V电源体系驱动的工业设备范畴,有助于小型化和低本钱化,有望进一步在社会上得到推行。

image.png

图3 罗姆高耐压、同步整流降压DC/DC转换器BD9V101MUF-LB

声明:本文内容来自网络转载或用户投稿,文章版权归原作者和原出处所有。文中观点,不代表本站立场。若有侵权请联系本站删除(kf@86ic.com)https://www.86ic.net/changshang/122248.html

为您推荐

联系我们

联系我们

在线咨询: QQ交谈

邮箱: kf@86ic.com

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

返回顶部