通用输入、12 V及1A输出的反激式低成本高功率电源电路
图14显现了一个采用了TNY278、通用输入、12 V及1A输出的反激式低成本高功率电源电路。此电源具有的特性包含欠压确定、初级检测的输出过压锁存关断维护、高功率( > 8 0 % )以及极低的空载功耗(265 VAC输入时<50 mW)。运用一个简略的齐纳二极管参阅及光耦反应可对输出电压进行稳压。经整流及滤波的输入电压被加到T1的初级绕组上。U1中集成的MOSFET驱动变压器初级的另一侧。二极管D5、C2、R1、R2、及 VR1组成箝位电路，将漏极的漏感关断电压尖峰控制在安全值规模以内。齐纳二极管箝位及并联RC的结合运用不光优化了EMI，并且更有功率。电阻R2约束了D5的反向电流，因而可运用一个低成本、慢速康复的整流二极管，但应选用玻璃钝化式的二极管，康复时间≤2 μs以提高功率及下降传导EMI。
齐纳二极管VR3调理输出电压。当输出电压超越齐纳二极管与光耦LED正向电压降之和时，电流将流向光耦LED，然后下拉光耦中晶体管的电流。当此电流超出使能引脚阈值电流时，将按捺下一个开关周期。当下降的输出电压低于反应阈值时，会使能一个开关周期。经过调理使能周期的数量，可对输出电压进行调理。随负载的减轻，使能周期也随之削减，然后下降有用的开关频率，依据负载状况减低开关损耗。因而可以在负载极轻时供给稳定的功率，易于满意能效规范的要求。
因为TinySwitch-III完全是自供电的，因而在变压器上无需辅佐或偏置绕组。假如运用偏置绕组，可完成输出过压维护功用，在反应呈现开环毛病时维护负载。当产生过压状况时，如偏置电压超越VR2与旁路/多功用(BP/M)引脚电压(28 V+5.85 V)之和时，电流开端流向BP/M引脚。当此电流超越ISD时，TinySwitch-III的内部锁存关断电路将被激活。断开沟通输入后，当BP/M引脚电压下降到低于2.6 V时，TinySwitch-III的内部锁存关断电路将重置。如典范显现，在环路开环时，OVP的输出电压为17V。
关于有更低输入空载功耗的运用，可运用偏置绕组向TinySwitch-III供电。电阻R8将电流送入BP/M引脚，按捺了内部高电压电流源，一般此高压恒流源在内部MOSFET关断期间保持BP/M引脚的%&&&&&%电压(C7)。此衔接方法将265 VAC输入时的空载功耗从140 mW下降到40 mW。衔接在直流总线及U1EN/UV引脚间的R5可进行欠压确定。当产生欠压确守时，开关周期被按捺，直到EN/UV引脚电流超越25 μA停止。因而可在正常作业输入电压规模之内对发动电压进行设定，避免在非正常低输入电压条件下及沟通输入断电时在输出端呈现电压搅扰。
除了用于差模EMI衰减的简略pi型输入滤波器(C1、 L1、 C2)之外，此规划还在变压器上采用了E-Shield™蔽技能来下降共模EMI位移电流，R2及C4作为衰减网络来下降高频变压器振动。这些技能与TNY278的频率颤动相结合，令此规划具有超卓的传导及辐射EMI功能，比EN55022 B级对传导EMI所规则的要求还多出12 dBμV的裕量。
