几款不错的场效应管功放电路图
场效应管多管并联输出，500W。
场管跟普功率最大不同便是场管是用电压驱动，在驱动级上有些不相同，没弄过场管功放，音质怎要看你规划和工艺！
IRFB33N15D是一颗非常好的MOS管，其导通内阻低达56mΩ，最大电流为33A，耐压却有150V，常用于DC/DC的变换器中，当然，在数字功放中，也常常使用。
其也有缺乏的当地，其输入电容为2020pF，和常见的MOS管相同，在驱动它时，就要选用特别电路来驱动，好像你的电路中的R29和D3并联电路，也是业界惯用手法，其作用是：
当没有R29时，Q7的栅极直接接前面的%&&&&&%引脚，其内部都是图腾柱电路，由所以容性负载，都会有振动发生，然后使驱动波形呈现振铃现象，发生的后时是，MOS管敞开不行，内阻大，功率低。 串入R29可以消除这种振动，其和后续的MOS管输入电容（Ciss）的时刻常数要远小于MOS管的敞开时刻13ns，而4.7Ω的2020pF的时刻常数为9.5nS，满足要求。
IRFB33N15D用规范电路（相当于R29为3.6Ω）驱动时，其康复时刻长达130nS，这也是MOS管的通病，为了加快关断（争夺这9.5nS的时刻），在关断时，期望栅级电阻为0，所以会在R29上反向并联肖特基二极管D3（其作业频率可以近GHz），来加快放电。
IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V这间，实践驱动时，取决于IRS2902S的作业电压，实践都在10V左右，肖特基二极管D3的正向压降只要1.2V左右（电流1A，但其ΔV/ΔI约为0，动态内阻极低），现已可以保证Q7和栅极处于低于VGS以下，对关断没有影响。 别的，你要学习动态内阻的意义，好像电源，其压降可能是5V，但其内阻可以低达十几毫欧。
这个电路里的2颗场效应管不能一起导通，所以，在它们作业的时分，要关断优先，导通稍缓。D3，D4二极管就可以在驱动电压下降的时分，敏捷开释场效应管的栅极结电压，然后使管子从导通状况康复到关断状况的时刻大大缩短。而驱动电压上升的时分，要经过R29，R27给管子的栅极结%&&&&&%充电，然后延缓了管子的导通时刻。 就这样完成了关断优先，导通稍缓的功用，大大的避免了一个管子还没退出导通，另一个管子现已进入导通的状况。
