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三极管基础知识及检测办法简介

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一、晶体管基础

三极管根底知识及检测办法简介


一、晶体管根底

   双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其间大部分空穴可以抵达集电结的鸿沟,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的效果下抵达集电区,构成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小,所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。

  假如晶体管的共发射极电流扩大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,假如在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将呈现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,完成了双极晶体管的电流扩大效果。

  金属氧化物半导体场效应三极管的根本作业原理是靠半导体外表的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行作业的。当栅 G 电压 VG 增大时, p 型半导体外表的大都载流子棗空穴逐步削减、耗尽,而电子逐步堆集到反型。当外表到达反型时,电子堆集层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间构成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时,源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体外表到达强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时,反型层的导电才能将改动,在相同的 VDS 下也将发生不同的 IDS , 完成栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的操控。

二、晶体管的命名办法


晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG(旧)或(T)表明,二极管以D表明。按制造资料分,晶体管可分为锗管和硅管两种。


按极性分,三极管有PNP和NPN两种,而二极管有P型和N型之分。大都国产管用xxx表明,其间每一位都有特定意义:如 3 A X 31,第一位3代表三极管,2代表二极管。第二位代表资料和极性。A代表PNP型锗资料;B代表NPN型锗资料;C为PNP型硅资料;D为NPN型硅资料。第三位表明用处,其间X代表低频小功率管;D代表低频大功率管;G代表高频小功率管;A代表高频大功率管。最终面的数字是产品的序号,序号不同,各种目标略有差异。留意,二极管同三极管第二位意义根本相同,而第三位则意义不同。关于二极管来说,第三位的P代表检波管;W代表稳压管;Z代表整流管。上面举的比如,具体来说便是PNP型锗资料低频小功率管。关于进口的三极管来说,就各有不同,要在实际使用过程中留意堆集资料。


  常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列,欧洲的2Sx系列,在该系列中,第三位意义同国产管的第三位根本相同。


三、 常用中小功率三极管参数表

类型

资料与极性

Pcm(W)

Icm(mA)

BVcbo(V)

ft(MHz)

3DG6C

SI-NPN

0.1

20

45

>100

3DG7C

SI-NPN

0.5

100

>60

>100

3DG12C

SI-NPN

0.7

300

40

>300

3DG111

SI-NPN

0.4

100

>20

>100

3DG112

SI-NPN

0.4

100

60

>100

3DG130C

SI-NPN

0.8

300

60

150

3DG201C

SI-NPN

0.15

25

45

150

C9011

SI-NPN

0.4

30

50

150

C9012

SI-PNP

0.625

-500

-40

C9013

SI-NPN

0.625

500

40

C9014

SI-NPN

0.45

100

50

150

C9015

SI-PNP

0.45

-100

-50

100

C9016

SI-NPN

0.4

25

30

620

C9018

SI-NPN

0.4

50

30

1.1G

C8050

SI-NPN

1

1.5A

40

190

C8580

SI-PNP

1

-1.5A

-40

200

2N5551

SI-NPN

0.625

600

180

2N5401

SI-PNP

0.625

-600

160

100

2N4124

SI-NPN

0.625

200

30

300

四、用万用表测验三极管
(1) 判别基极和管子的类型
   选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,先用红表笔接一个管脚,黑表笔接另一个管脚,可测出两个电阻值,然后再用红表笔接另一个管脚,重复上述过程,又测得一组电阻值,这样测3次,其间有一组两个阻值都很小的,对应测得这组值的红表笔接的为基极,且管子是PNP型的;反之,若用黑表笔接一个管脚,重复上述做法,若测得两个阻值都小,对应黑表笔为基极,且管子是NPN型的。
(2)判别集电极
   由于三极管发射极和集电极正确衔接时β大(表针摇摆起伏大),反接时β就小得多。因而,先假定一个集电极,用欧姆档衔接,(对NPN型管,发射极接黑表笔,集电极接红表笔)。丈量时,用手捏住基极和假定的集电极,南北极不能触摸,若指针摇摆起伏大,而把南北极对调后指针摇摆小,则阐明假定是正确的,然后确认集电极和发射极。
(2) 电流扩大系数β的预算
   选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,对NPN型管,红表笔接发射极,黑表笔接集电极,丈量时,只需比较用手捏住基极和集电极(南北极不能触摸),和把手铺开两种状况小指针摇摆的巨细,摇摆越大,β值越高。

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