在规范R负载丈量技能中（如图5所示），一个电阻与DUT串联，经过丈量负载电阻上的电压就可以测出流过DUT的电流。选用有源、高阻抗探针和示波器[1]记载负载电阻上的电压。流过DUT的电流等于施加的电压（VAPPLIED）减去器材上的电压（VDEV），再除以负载电阻。负载电阻的巨细规模一般从1千欧到3千欧。这种技能选用了一种折衷：假如负载电阻太高，RC效应以及电压在R负载和DUT上的分配将会约束这种技能的功用；可是，假如电阻值太小，它会影响电流的分辨率。
图5.规范R负载技能
最近，咱们研讨出了一种新的不需要负载电阻的限流技能。经过严密操控电流源的巨细，可以关于RI曲线中的低电流进行更准确的特征剖析。这种新技能（如图6所示）可以经过一次脉冲扫描一起取得I-V和RI曲线，其间选用了高速脉冲源和丈量仪器，即双通道的4225-PMU[2]超快I-V模块。这种新模块可以供给电压源，一起以较高的精度丈量电压和电流呼应，上升和下降时间短至20ns。
去掉负载电阻也就消除了回折的副作用。4225-PMU模块[3]以及用于扩展其灵敏度的4225-RPM[4]长途放大器/开关（如图7所示）可用于4200-SCS型[5]半导体特征剖析体系，其不只具有对PCM器材进行特征剖析所必需的丈量功用，并且可以主动完成整个测验进程。
图6.选用4225-PMU的限流技能
图7.4225-PMU超快I-V模块和两个4225-RPM长途放大器/开关，
适用于吉时利4200-SCS型特征剖析体系
参考文献
[1] T. Nirschl, J. B. Phipp, et al. (2007, Dec. 10-12). Write strategies for 2- and 4-bit multi-level phase-change memory.Presented at IEDM 2007. IEEE International.[Online].Available:http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=4418973
[2] D.-S. Suh, K. H. P.Kim, et al (2006, Dec. 11-13).Critical quenching speed determining phase of Ge2Sb2Te5in phase-change memory. Presented at IEDM 06. IEEE International. [Online]. Available:http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=4154328
[3]A. Pirovano, A. L. Lacaita, et al, “Low-field amorphous state resistance and threshold voltage drift in chalcogenide materials,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, no. 5, May 2004.
