单线智能温度传感器DS18B20无需外部电路和其他改换电路就可以直接输出被测温度，测温规模宽、精度高、转化时间快并可适配各种单片机或体系机等很多长处，在各种范畴已得到了广泛的使用。我公司选用DS18B20温度传感器制造四路温度巡检操控的温控仪。在对温控仪进行各种环境习惯验证实验中发现一个问题：DS18B20传感器选用10m长衔接线时作业不正常，而选用3m长衔接线时作业正常。DS18B20传感器的衔接线缆长度一般可到达50～100m，当选用双绞线芯的屏蔽电缆时，其最大长度可达150m。图1为温控仪传感器衔接部分电路图，传感器选用独自供电，接在P1口上。
后经对DS18B20传感器的读写子程序剖析及对传感器读写时序波形剖析得出的定论，是因为读写子程序对DS18B20传感器的读写的时序掌握不行精确形成的。下面就DS18B20传感器的读写的时序掌握度进行剖析，期望能对开始触摸该传感器的人员有所协助。
DSl8B20传感器对读写时序的要求
首要对DS18B20传感器的读写时序的要求进行剖析和了解。按D S 1 8 B 2 0 器材手册介绍， 对DSl8B20写数据时，主机发生读时间片。当主机把I／O数据总线从逻辑高电平拉至逻辑低电平时，低电平继续时间最少1μs,就发生写时间片。在变为低电平15μs之后，DSl8B20在15～45μs之间对线采样，假如线为高电平，写1就发生，假如线为低电平，便发生写0。时间片有必要有最短为60μs的继续期，各写周期之间有必要有最短为1μs的恢复时间。图2为DS18B20生产厂家供给的读写时序图。
从DSl8B20读数据时，主机发生读时间片。当主机把数据线从逻辑高电平拉至低电平时，发生读时间片。低电平继续时间至少1μs；来自DS18B20 的输出数据在读时间片下降沿之后15μs有用，因而，在发生读时间片15μs后主机有必要中止把I/O线驱动至低电平，由上拉电阻拉回至高电平，主机在15μs晚期对数据线采样，假如线为高电平，就读为1，假如线为低电平，便读为0。读时间片的最短继续期限为60μs，各读时间片之间有必要有最短为1μs的恢复时间。 在处理凹凸电平跳变时，还有必要了解DS18B20传感器直流参数特性。其特性为：I/O口检测低电平规模为-0.3～0.8V，高电平规模为2.2～5.5V，同单片机的I/O口检测低电平规模为-0.5V～0.2Vcc-0.1 V和高电平规模为0.2Vcc+0.9V～Vcc+0.5V基本上相同。
数据衔接线缆对读写数据波形的影响
针对微秒级数据脉冲信号，关于较长的数据线缆，不该仅看作纯阻性线缆，应充分考虑线缆中存在的分布电容对数据脉冲信号在跳变时形成延时和变形的影响。其等效电路原理见图3。一般线芯的内阻远小于上拉电阻，决议延时量的是上拉电阻与分布电容乘积。在上拉电阻必定的情况下，线缆越长，其分布电容越大，对数据脉冲信号影响也就越大。电缆的资料、结构、工艺等不同，其存在的分布电容目标亦不同，杰出的同轴线缆分布电容一般在60 pF/m以下，而扁平排线相邻线芯间的分布%&&&&&%在300pF/m左右。
用回忆示波器在衔接10m长RVV3×0.5mm2型线缆的传感器上观察到的数字波形见图4（上拉电阻为5kΩ）。从图4中可看出，在t 1时间主机将数据线拉低，在t 2时间才干被DS18B20辨认为低电平，延迟了3μs。在t 3时间主机开释数据线，在上拉电阻的效果下，在t 4时间才上升为被DS18B20辨认的高电平，延迟了3μs。从t 2到t 4时间，对DS18B20来说，是近19μs低电平。因而，在选用较长线缆时，如对传感器读写时间掌握不精确的话，会因使对读写的数据信号发生时延变形而不符合DS18B20对读写时序的要求，使对其读写操作失利。在选用较长数据线缆时，还应考虑抗干扰的问题，因而主张尽量选用双绞线或带屏蔽的双绞线作传感器的数据线缆。
