ADG1211双电源模仿开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

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产品概况

ADG1211/ ADG1212 / ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器材，内置四个选用 iCMOS® （工业CMOS）工艺规划的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制作工艺，集高电压CMOS与双极性技能于一体。使用这种工艺，能够开发作业电压达33 V的各种高功能模仿IC，并完成以往的高压器材所无法完成的尺度。与选用传统CMOS工艺的模仿IC不同， iCMOS器材不光能够接受高电源电压，一起还能提高功能、大幅下降功耗并减小封装尺度。

这些开关具有超低电容和电荷注入特性，因此是要求低毛刺和快速树立时刻的数据收集与采样坚持使用的抱负解决方案。较快的开关速度及高信号带宽，使这些器材合适视频信号切换使用。

iCMOS结构可保证功耗极低，因此这些器材十分合适便携式电池供电外表。

ADG1211 / ADG1212 / ADG1213内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。ADG1211和ADG1212的仅有不同之处便是数字操控逻辑相反。ADG1211开关的接通条件是相关操控输入为逻辑0，而ADG1212则要求逻辑1。ADG1213有两个开关的数字操控逻辑与ADG1211类似；但其它两个开关的操控逻辑则相反。ADG1213为先开后合式开关，合适多路复用器使用。

当接通时，各开关在两个方向的导电功能相同，输入信号规模可扩展至电源电压规模。在断开条件下，到达电源电压的信号电平被阻挠。

产品特征

1. 超低电容
2. 电荷注入小于1 pC。
3. 3 V逻辑兼容数字输入：VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V。
4. 无需VL 逻辑电源。
5. 超低功耗：<0.03 μW。
6. 16引脚TSSOP和3 mm × 3 mm LFCSP封装。

使用

• 自动测试设备
• 数据收集体系
• 电池供电体系
• 采样坚持体系
• 音频信号路由
• 视频信号路由
• 通讯体系

优势和特色

• 1 pF关断电容
• 2.6 pF导通电容
• 电荷注入小于1 pC
• 电源电压规模：33 V
• 导通电阻：120 Ω
• 额外电源电压：±15 V、+12 V
• 无需 V_L电源
• 3 V逻辑兼容输入
• 轨到轨作业
• 16引脚TSSOP和16引脚LFCSP封装
• 典型功耗：<0.03 µW

ADG1211电路图

ADG1211中文PDF下载地址

ADG1211下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG1211_1212_1213.pdf