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三极管与场效应管的差异,晶体三极管与场效应管的检测区别

本站为您提供的三极管与场效应管的区别,晶体三极管与场效应管的检测区分,场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出,输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出,不消耗功率。

  场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管经过电流的巨细操控输出,输入要耗费功率。场效应管是经过输入电压操控输出,不耗费功率。

  场效应管和三极管的差异是电压和电流操控,但这都是相对的。电压操控的也需求电流,电流操控的也需求电压,仅仅相对要小罢了。就其功用而言,场效应管要显着优于一般三极管,不管是频率仍是散热要求,只需电路设计合理,选用场效应管会显着提高全体功用。

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  简略讲一下场效应管和三极管的差异

  1、三极管是双极型管子,即管子作业时内部由空穴和自由电子两种载流子参加。场效应管是单极型管子,即管子作业时要么只要空穴,要么只要自由电子参加导电,只要一种载流子;

  2、三极管归于电流操控器材,有输入电流才会有输出电流; 场效应管归于电压操控器材,没有输入电流也会有输出电流;

  3、三极管输入阻抗小,场效应管输入阻抗大;

  4、有些场效应管源极和漏极能够交换,三极管集电极和发射极不能够交换;

  5、场效应管的频率特性不如三极管;

  6、场效应管的噪声系数小,适用于低噪声扩大器的前置级;

  7、假如期望信号源电流小应该选用场效应管,反之则选用三极管更为适宜。

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  场效应管是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)的简称。它归于电压操控型半导体器材,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全作业区域宽、受温度和辐射影响小等长处,特别适用于高灵敏度和低噪声的电路,现已成为一般晶体管的强壮竞争者。

  一般晶体管(三极管)是一种电流操控元件,作业时,大都载流子和少量载流子都参加运转,所以被称为双极型晶体管;而场效应管(FET)是一种电压操控器材(改动其栅源电压就能够改动其漏极电流),作业时,只要一种载流子参加导电,因而它是单极型晶体管。

  场效应管和三极管相同都能完成信号的操控和扩大,但因为他们结构和作业原理天壤之别,所以二者的差异很大。在某些特殊运用方面,场效应管优于三极管,是三极管无法代替的,三极管与场效应管差异见下表。

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  晶体三极管与场效应管的辨认检测

  [1] 晶体三极管一般简称为晶体管或三极管,是一种具有两个PN结的半导体器材。晶体三极管是电子电路中的中心器材之一,在各种电子电路中的运用十分广泛。

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  [2] 晶体三极管的文字符号为“VT”,图形符号如图所示。

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  [3] 电流扩大系数β是晶体三极管的主要参数之一,是指集电极电流Ic的改变量与基极电流Ib的改变量之比,反映了三极管的扩大才能。如图所示,当Ib从40μA上升到60μA时,相应的Ic从6mA上升到9mA,其β=(9-6)&TImes;103/(60-40)=150。

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  [4] 特征频率fT是晶体三极管的另一主要参数。当作业频率超越必定值时,三极管的β值开端下降。β值下降到1时所对应的频率即为特征频率fT。

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  [5] 晶体三极管具有三根管脚,别离是:基极b、发射极e和集电极c,运用中应辨认清楚。

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  [6] 晶体三极管的根本作业原理如图示(以NPN型管为例)。当给基极(输入端)输入一个较小的基极电流Ib时,其集电极(输出端)将按份额发生一个较大的集电极电流Ic,这个份额便是三极管的电流扩大系数β,即Ic=βIb。集电极电流和发射极电流受基极电流的操控,所以晶体三极管是电流操控型器材。

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  [7] 检测晶体三极管时,万用表置于“R&TImes;1k”挡。先用黑表笔接某一管脚,红表笔别离接别的两管脚,测得两个电阻值。再将黑表笔换接另一管脚,重复以上过程,直至测得两个电阻值都很小(NPN管)或都很大(PNP管),这时黑表笔所接的是基极b。

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  [8] 接着,关于NPN管,用红表笔接基极以外的一管脚,左手拇指与中指将黑表笔与基极捏在一起,一起用左手食指接触余下的管脚,这时表针应向右摇摆。将基极以外的两管脚对调后再测一次。两次丈量中,表针摇摆起伏较大的那一次,黑表笔所接为集电极,红表笔所接为发射极。表针摇摆起伏越大,阐明被测三极管的β值越大。关于PNP管则对调红、黑表笔丈量。

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  [9] 晶体三极管最根本的效果是扩大。图示为晶体三极管扩大电路,输入信号Ui经C1加至三极管VT基极,使其集电极电流相应改变,并在集电极负载电阻Rc上发生压降,经C2输出。因为输出电压等于电源电压与Rc上压降的差值,因而输出电压Uo与输入电压Ui相位相反。R1、R2为VT的基极偏置电阻。

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  [10] 晶体三极管具有开关效果。图示为驱动发光二极管的电子开关电路,开关管VT的基极由脉冲信号CP操控,当CP=“1”时,VT导通,发光二极管VD发光;当CP=“0”时,VT截止,发光二极管VD平息。R为限流电阻。

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  [11] 复合管是由两个或更多三极管按必定规则组合在一起而成。达林顿管即为一种复合管,图示为两个NPN型三极管构成的达林顿管,等效为一个高β值的晶体三极管,β=β1·β2。达林顿管也可由两个PNP管,或一个PNP管和一个NPN管构成。

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  [12] 带阻三极管是一种内部包括有一个或几个电阻的晶体三极管,近年来在家用电器和音像设备中运用较多。图示为较常见的两种带阻三极管内部电路结构。

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  [13] 场效应晶体管一般简称为场效应管,是一种使用场效应原理作业的半导体器材。和一般双极型晶体管相比较,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态规模大、功耗小、易于集成等特色,得到了越来越广泛的运用。场效应管的文字符号也为“VT”,图形符号如图所示。

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  [14] 场效应管一般具有3个极(双栅管有4个极):栅极G、源极S和漏极D,它们的功用别离对应于双极型晶体管的基极b、发射极e和集电极c。因为场效应管的源极S和漏极D是对称的,实际运用中能够交换。

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  [15] 场效应管的根本作业原理如图示(以结型N沟道管为例)。因为栅极G接有负偏压UG,在G邻近构成耗尽层。当负偏压UG增大时,耗尽层增大,沟道减小,漏极电流ID减小;当负偏压UG减小时,耗尽层减小,沟道增大,漏极电流ID增大。漏极电流ID受栅极电压的操控,所以场效应管是电压操控器材。

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  [16] 检测结型场效应管时,万用表置于“R&TImes;1k”挡,用两表笔别离丈量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻持平,均为数kΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可交换),余下的一个管脚即为栅极G。

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  [17] 估测结型场效应管的扩大才能:万用表置于“R&TImes;100”挡,两表笔别离接漏极D和源极S,然后用手捏住栅极G(注入人体感应电压),表针应向左或向右摇摆。表针摇摆起伏越大阐明场效应管的扩大才能越大。假如表针不动,阐明该管已坏。

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  [18] 场效应管很高的输入阻抗十分适协作阻抗改换。图示为场效应管源极输出器,其特色是输入阻抗Zi很高、输出阻抗Zo较低,常用于多级扩大器的输入级作阻抗改换。

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  [19] 场效应管能够用作可变电阻。图示为录音机主动电平操控电路,当输入信号Ui增大导致Uo增大时,由Uo经VD负向整流后构成的栅极偏压-UG的绝对值也增大,使场效应管VT的等效电阻增大,R1与其的分压比减小,使进入扩大器的信号电压减小,最终使Uo坚持根本不变。

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  [20] 场效应管能够方便地用作恒流源,如图所示,假如漏极电流ID因故增大,源极电阻RS上构成的负栅压也随之增大,迫使ID回落,反之亦然,使ID坚持稳定。稳定电流ID=|UP|/RS,式中,UP为场效应管夹断电压。

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