电容丈量注意事项

电容丈量有串联形式(Cs-D, Cs-Rs)和并联形式(Cp-D, Cp-Rp)

当运用串联形式丈量

Cs的核算是如下图（即直接运用虚部，以为虚部的值便是电容值）：

这种情况下，Cs的值等于C，仅仅在Rp值十分大（1/Rp <<1）而且L的电抗能够疏忽（ωL<<1/ωC）的情况下。一般，在高频时分，L不行疏忽，可是Rp则在许多情况下能够疏忽。关于高值电容，c的电抗相对Rp来说十分小；而低值电容，其自身的Rp就很大。因而，大多数电容能够运用下面的等效图来表明：

Figure5-5（a）和Figure5-5(b)示出了陶瓷电容器的典型阻抗特性和Cs-D特性：

咱们能够从高频区的谐振点，认知到L的存在。

电容丈量应当留意到，丈量是和电容值相关的。

高值电容的丈量：

它归于低阻抗丈量，因而有必要把触摸电极、丈量夹具、电缆中的触摸电阻和剩余阻抗减到最小。这儿应当运用4端、5端或许4端对丈量方法。为了防止电磁场耦合影响，应当依照下图方法衔接电缆：

此外为了进行精准丈量，有必要进行开路，短路校准补偿。特别是关于施加直流偏置电压的电解电容器，应该在偏置设置为On，而且为0V的时分进行开路短路补偿。

低值电容丈量：

归于高阻抗丈量。触摸电极间的杂散电容比剩余阻抗有更大的影响。应该运用3端（屏蔽2T）、5端（屏蔽4T）或4端对（4TP）丈量。正确的接地、开路/短路补偿能够把杂散电容影响减小到最小。

除了电容量以外，损耗要素D和等效串联电阻ESR也是需求丈量的%&&&&&%参数。关于低D值，或许低ESR值的丈量需求分外留意。即便运用4端丈量，测验夹具和电缆间的触摸电阻、剩余阻抗也会影响丈量成果。