在本章开端之前，咱们先来看下ARM11S3C6410内部结构：
在图中，咱们看到ARM11S3C6410内存部分有SRAM、SDRAM、DDR和NANDflash几种类型，关于这几种内存之间的联络可参阅ARM11s3c6410系列教程之三内存运用的介绍。从以上几节的介绍能够看出，若ARM11S3C6410设置为NANDflash发动，则NANDflash作为程序暂时贮存的场所，咱们不能不认真的理解下NANDflash的操作。
在硬件上，使能 NAND Flash时， XSELNAND需坚持为高电平，也便是AB16为高电平。
在NAND Flash 操控器图解如下图所示：
在图解中咱们能够看出NAND Flash操控器片选信号、指令信号，地址信号，读信号、写信号、闲暇/繁忙管脚和8个数据管脚组成，这大大方便了NANDflash的运用和操控。
