在我的上一篇关于EE年代的电源技巧博文中，我评论了怎么运用一个双开关反激式电路来提高低功耗阻隔式转换器的功率。与单开关反激式电路比较，双开关反激式电路的首要价值便是需求一个起浮的高侧驱动。一个栅极驱动变压器一般用于双开关反激式电路的高侧FET，而栅极驱动变压器的运用是需求一些技巧的。假如磁芯没有在每个周期内正确复位，那么它就有或许饱满。
其间一个最常见的驱动技能便是运用一个与驱动绕组串联的AC耦合电容器。这个电容器将均匀电流强制为0A，这就保证了变压器不会饱满。但是，它依然有或许在瞬态时饱满，而驱动信号的DC信息将会在驱动变压器的次级侧上丢掉。
图1显现的是在没必要运用耦合电容器时驱动一个变压器的简略办法。当驱动信号变为高电平时，小信号FET，Q2接通，而驱动电压被施加在变压器的绕组上。当驱动信号变为低电平时，它将绕组的同名端下拉至接地，而且封闭Q2。当Q2封闭时，变压器内的磁化电流正向偏置D1，在相反的方向上，将VDD施加在变压器绕组上。为了少于50%的占空比，变压器保证可以彻底复位。经过添加一个与D1串联的齐纳二极管，你可以将占空比扩展到50%以上。
这个驱动电路供给了两个额定的优势。首要，一切的磁化能量被收回至VDD，然后提高了功率。第二，在磁化复位期间内，FET的驱动由一个负驱动完成。这个负驱动可以经过加速封闭时刻来削减开关损耗。
这个简略的驱动电路保证了驱动变压器的正确复位，而且可以提高功率。
