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选用FPGA与SRAM的大容量数据存储的规划

采用FPGA与SRAM的大容量数据存储的设计,1 前言 针对FPGA中内部BlockRAM有限的缺点,提出了将FPGA与外部SRAM相结合来改进设计的方法,并给出了部分VHDL程序。2 硬件设计 

1 前语

 针对FPGA中内部BlockRAM有限的缺陷,提出了将FPGA与外部SRAM相结合来改善规划的办法,并给出了部分VHDL程序。

  2 硬件规划

  这儿将首要评论以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV25616AL)为首要器材来完结大容量数据存储规划思路。

  FPGA即现场可编程门阵列,其结构与传统的门阵列类似,很多的可编程逻辑块( CLB , Configurable Logic Block ) 在芯片中心按矩阵摆放,芯片四周为可编程输入/输出块( IOB , Input / Output Block),CLB队伍之间及CLB和IOB之间具有可编程的互连资源(ICR,InterConnectResource)。CLB、IOB和ICR都由散布在芯片中的SRAM静态存储单元操控,SRAM中的数据决议FPGA的功用,这些数据能够在体系加电时主动或由指令操控从外部存储器装入。

  在进行数据存储时,可直接将数据写入FPGA内部的BlockRAM中,在必定程度上减少了FPGA的资源分配。但FPGA内部自带的RAM块毕竟是有限的,当需进行大容量数据存储时这有限的RAM块是远远不能满意体系规划要求的。此刻,就需要将FPGA与外部RAM相结合完结大容量数据存储。详细硬件电路如图一所示:

  

  3 IS61LV25616AL功用简介

  IS61LV25616AL是IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)的一款容量为256K×16的且引脚功用彻底兼容的4Mb的异步SRAM,可为Xilinx公司的Spartan-2E系列FPGA供给高性能、高消费比的外围存储。除了256K×16异步SRAM外,ISSI还供给128K×16、512K×16、256K×8、512K×8和1M×8的异步SRAM。 IS61LV25616AL引脚结构框图如图二所示:

  

  3.1 首要特征

  (1)作业电压:3.3伏;

  (2)拜访时刻:10ns、12ns;

  (3)芯片容量:256K×16;

  (4)封装方式:44引脚TSOPII封装,也有48引脚mBGA和44引脚SOJ封装;

  (5)选用0.18μm技能制作。

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