场效应管作业原理
用一句话说，便是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结构成的反偏的栅极电压操控ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的改变，发生耗尽层扩展改变操控的原因。在VGS=0的非饱满区域，表明的过渡层的扩展由于不很大，依据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID活动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成阻塞型，ID饱满。将这种状况称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挠，并不是电流被堵截。
在过渡层由于没有电子、空穴的自在移动，在抱负状况下简直具有绝缘特性，一般电流也难活动。可是此刻漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层触摸漏极与门极下部邻近，由于漂移电场拉去的高速电子经过过渡层。因漂移电场的强度简直不变发生ID的饱满现象。其次，VGS向负的方向改变，让VGS=VGS（off），此刻过渡层大致成为掩盖全区域的状况。并且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只要接近源极的很短部分，这更使电流不能流转。
MOS场效应管电源开关电路
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管（MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor， MOSFET）。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型一般称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。关于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，相同关于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）操控，能够以为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器材有很高的输入阻抗，一起这也是咱们称之为场效应管的原因。
在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流经过。这是由于在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被招引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，然后构成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被集合在P型半导体端，负电子则集合在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流经过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面剖析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此刻场效应管处与截止状况（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的效果，此刻N型半导体的源极和漏极的负电子被招引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挠，使得电子集合在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），然后构成电流，使源极和漏极之间导通。能够想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的树立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的巨细由栅压的巨细决议。
C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起运用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状况下作业，其相位输入端和输出端相反。经过这种作业方法咱们能够获得较大的电流输出。一起由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，一般在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正由于如此，使得该电路不会由于两管一起导通而形成电源短路。
场效应管分类
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完好绝缘而得名。现在在绝缘栅型场效应管中，使用最为遍及的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚面世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方法来区分，场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有加强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型；P沟耗尽型和加强型四大类。
