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常用电子元器件分类及选型(正激)

一、保险丝分类:从封装上分为直插式和贴片式,其中直插式的又分径向引线和纵向引线式。从时间上分为速断、中等慢断、慢断等。从材质上分为陶瓷、玻璃

一、稳妥丝

分类:从封装上分为直插式和贴片式,其间直插式的又分径向引线和纵向引线式。

从时刻上分为速断、中等慢断、慢断等。

从原料上分为陶瓷、玻璃、塑料等。

选型:作为稳妥丝除了挑选其封装、时刻、以及原料,额外电压、电流等,最首要的是看I平方/T,即A平方/S,这是挑选稳妥丝的要害点,一般都是用示波器捕捉浪涌电流,然后积分(能够近似计算),得出A平方/S。

举例:

以上是给青岛某客户做的一适配器电源白盒测验的截图,得到A平方/S为3.912,那么咱们就的去查稳妥丝的规格书,对应的参数有必要比3.912要大一个等级,查表得到比3.912大一个等级的为5.87,对应稳妥丝为1.6A,250V。一般电路中整流桥后边有电解电容的,挑选慢断型的。

二、压敏电阻

分类:从原料上分一般分为SrTiO3(钛酸锶)陶瓷和ZnO(氧化锌)陶瓷,尽管SrTiO3(钛酸锶)陶瓷这种原料的好,功能优秀,但价格高,所以现在作为电源镇流器类用ZnO的仍是居多。

从用途上分一般分为维护型、浪涌按捺型、功率型,现在咱们用的都是浪涌按捺型。

选型:除了外观尺度,原料,封装等最首要的选型仍是看以下。

不同厂家都有自己的命名,并且有的是根据dc电压分的,有的是根据ac电压分的,如我司现在的CNR、EPCOS。无论是哪种命名方法,但挑选的原理都是相同的。

根据不同的资料,原理有两种:

一种是最高输入电压*1.414*1.2~1.4,来挑选(dc电压法)。

举例:输入电压为85-264Vac,则264*1.414*1.2~1.4=447.9~522.6dc,也便是挑选471-511的规模,假如厂家命名的是ac的,则把*1.414去掉,即264*1.2~1.4=316.8~369.6ac,也便是挑选321~381ac。(321上一个档是381,以EPCOS为例

另一种是根据在1mA时转机电压来选取。

见下面截图,以EPCOS为例:

三、热敏电阻

分类:按温度分:负温度系数/正温度系数/临界温度热敏电阻,英文字母表明为NTC/PTC/CTR.

按封装分:直插式和贴片式。

其资料一般都是半导体陶瓷。

选型:除根本参数尺度,25°C的阻值 零功率R25,B值,别的有两点需求留意:

1. 耗散系数δ

δ=ΔP/ΔT (mW/℃)

即:在规则的环境温度下,热敏电阻器耗散功率改变率与其相应温度改变之比。它表明使热能电阻体升高1℃温度所需耗费的功率。在作业温度规模内,δ随环境温度改变而有所改变。

2. 额外功率Pr

额外功率=耗散系数δ×(最高运用温度Tmax-25℃)

比较兴勤和时恒家的热敏电阻:

时恒家的为:热耗散系数(mw/℃): 20

兴勤家的为:热耗散系数(mw/℃): 21

咱们根据上面的公式算一下额外功率:

比方Tmax温度为200°C,则额外功率为耗散系数δ×(最高运用温度Tmax-25℃),时恒家的为:3.5W,兴勤家的为:3.675W。

这个仅仅个参考值。

四、X电容、Y电容(安规电容)

X电容分类:依照耐压不同分为X1 X2 X3三种。

1. X1耐高压大于2.5 kV, 小于等于4 kV,

2. X2耐高压小于等于2.5 kV,

3. X3耐高压小于等于1.2 kV

现在咱们家都用X2电容,性价比高。

X电容首要用于跨接L/N之间,滤去差模噪声。

Y电容分类:依照耐压不同分为Y1 Y2 Y3 Y4四种。

1. Y1耐高压大于8 kV,

2. Y2耐高压大于等于5 kV,

3. Y3 NA

4. Y4耐高压大于等于2.5kV

需求留意的是:Y1归于双绝缘Y电容,用于跨接一二次侧.Y2则归于根本单绝缘Y电容,用于跨接一次侧对地维护即FG线。

现在X电容常用的是金属化聚丙烯薄膜,绕制结束,两头铜包钢引线,然后放入盒子中,环氧树脂灌封而成,这个工艺中要害仍是铝粉蒸发到薄膜。

国外大部分都是限制而非绕制,所以咱们国产的一般都比不上国外的质量。

选型:只需留意了额外温度,电压,尺度,容量等根本参数,没有什么可难选型的。

现在Y电容常用的是陶瓷介质,经过焊料和镀锡铜包钢引线焊接,然后环氧树脂封装而成。

选型:留意额外温度,电压,尺度,容量等根本参数,首要看其温度特性是什么,如B(Bn) E R F等,现在比较好的是B(Bn)温度特性的,以及损耗角的正切值以及漏电流(一般从1-10mA之间)。

温度特性曲线如下:

五、 MOS 管

分类:按沟道分 N沟道和P沟道。

按资料分 结型和绝缘栅型。

按功率分 大中小三种。

其间留意所用MOS是增强型仍是耗尽型。

现在咱们都是用的绝缘栅-增强型-N沟道MOS。

选型:MOS管的选型比较复杂,讲起来比较费唾沫。

现以N沟道增强型MOS管STW9NB90为例解说:

肯定最大额外值

从上而下依次为:

漏源电压 MOS管的实践最大的电压有必要为此电压的88%降额。(由于-40时MOS管的反压是本来反压的92%左右,当然假如低温不是-40就另当别论)

漏栅电压

栅源电压 栅极驱动脉冲电压幅值一般在最大不要超越25V,这是关于+/-30V的而言,假如是+/-25的话,一般不要超越20V,当然以上说的是极限值,一般都不会用到极限值,MOS管最佳注册电压幅值为10V,低驱动电压MOS在外)

漏极电流(25°C时)

漏极电流(100°C时) MOS管在极限条件(空气对流的状况在外)下一般都会抵达这个温度,所以选型时看此刻的电流,不要看25°C,没有意义)

脉冲漏极电流

总功耗 这个功耗便是N沟道所能答应的功耗,一般为稳妥起见,电源或镇流器是多大功率的,要选的此值接近于其功率,当然终究以测验温升为评判根据。

额外值下降因子

二极管反向峰值电压(如同只要ST厂家的有此项)

贮存温度

最大作业结温

热阻

雪崩能量

电气特性

因项目多,所以选几个重点项目解说:

沟道电阻Rdson 除了开关损耗,另一个重要损耗便是沟道电阻的损耗。

米勒电容充电电荷量Qgd 这个首要以示波器测验米勒渠道波形为准。

反向恢复时刻trr 寄生二极管反向恢复时刻(有的芯片如半桥的,死区时刻选的理论能够,为什么还会呈现上下桥臂一起通的状况,原因就在于此,trr太长,国外品牌的一般都不会出问题,国产的标的很好,时刻根本就达不到,很是不靠谱)

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