S3C2410处理器的扩展规划

1.需求剖析
S3C2410是32位处理器（指令一次能够操作32位数据（运算器一次能够处理32位数据）；通用寄存器多是32位寄存器；处理器内部数据通道也是32位的；处理器外部数据总线宽度通常是32位的，地址总线宽度只是代表CPU寻址规模巨细，与CPU是多少位的无关，也即32位CPU的地址总线纷歧定是32根的，例如关于s3c2410，每一个Bank对应27根地址线，寻址才能为128MB，悉数8个Bank总的寻址才能为1GB），所以为了最大极限的发挥其功能，内存最好也是32位（指数据宽度）的，（当然，在s3c2410的8个bank中，除了Bank0只能挑选16/32数据位宽外，其他的7个Bank均能够独自挑选8/16/32位宽的存储体系）但是市面上很少有32位宽度的单片SDRAM，所以一般都采纳两片16位的SDRAM进行位扩展得到32位的SDRAM
2.规划电路图
2410与K4S561632D相连

本体系扩展后的内存体系为16M×32Bit的（此处32Bit是指数据位宽度，而非地址位，能够了解SDRAM数据位宽度与地址线的条数无关，了解数据线和地址线的差异，关于下面地址线的衔接方法的了解非常重要
3.初始化程序代码
子函数阐明：初始化内存操控器
memsetup:
mov r1,#MEM_CTL_BASE
adrl r2,mem_cfg_val
add r3,r1,#52
1:
ldr r4,[r2],#4 @将地址为R2的内存单元数据读取到R4中，然后r2=r2 +4
str r4,[r1],#4 @将r4的数据写入到r1的内存单元，然后r1=r1+4
cmp r1,r3 @比较R1，R3是否设置完一切的13个寄存器。
bne 1b @假如没有仿制完，就持续
mov pc,lr @仿制完后回来，b指令则不可。差异bl。


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子函数阐明：仿制代码到SDRAM,将SRAM中的4K数据悉数仿制到SDRAM，
@ SRAM开端地址为0x00000000，SDRAM的开端地址为0x30000000
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copy_steppingstone_to_sdram:
mov r1,#0 @设置R1为SRAM的开端地址为0x00000000
ldr r2,=SDRAM_BASE @设置R2为SDRAM的开端地址为0设置R1为0X300 00000
mov r3 ,#4*1024 @设置R3为4K
1:
ldr r4,[r1],#4 @从SRAM中读取4字节的数据到R4中，然后r1=r 1+4
str r4,[r2],#4 @将r4中的4字节数据仿制到SDRAM中，然后r2= r2+4
cmp r1,r3 @判别是否完结：SRAM的地址是否等于末地址> 。
bne 1b @若没有完结，持续仿制
mov pc,lr @回来

.align 4
@******************************************************
@存储操控器13个寄存器的设置值
@******************************************************
mem_cfg_val:
.long 0x22011110 @BWSCON ：
.long 0x00000700 @BANKCON0
.long 0x00000700 @BANKCON1
.long 0x00000700 @BANKCON2
.long 0x00000700 @BANKCON3
.long 0x00000700 @BANKCON4
.long 0x00000700 @BANKCON5
.long 0x00018005 @BANKCON6
.long 0x00018005 @BANKCON7
.long 0x008e07a3 @REFRESH
.long 0x000000b1 @BANKSIZE
.long 0x00000030 @MRSRB6
.long 0x00000030 @MRSRB7
2.扩展为64MB的NAND Flash用作发动ROM和大容量存储
1.需求剖析
NandFlash接口信号较少
* 数据宽度只要8Bit，没有地址总线。地址和数据总线复用，串行读取

NandFlash地址结构
* NandFlash设备的存储容量是以页(Page)和块(Block)为单位的。
* Page=528Byte (512Byte用于寄存数据，其他16Byte用于寄存其他信息，如块好坏的符号、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等)。
* Block=32Page
* 容量为64MB的NandFlash存储结构为：512Byte×32Page×4096Block
* NandFlash以页为单位进行读和编程（写）操作，一页为512Byte；以块为单位进行擦除操作，一块为512Byte*32page=16KB
* 关于64MB的NAND设备，需求26根地址线，因为NAND设备数据总线宽度是8位的，因而有必要通过4个时钟周期才能把悉数地址信息接纳下来
* 能够这么说，第一个时钟周期给出的是方针地址在一个page内的偏移量，然后三个时钟周期给出的是页地址。
* 因为一个页内有512Byte，需求9bit的地址寻址，而第一个时钟周期只给出了低8bit，最高位A8由不同的读指令(Read Mode2)来区别的。
NandFlash的指令

2.电路图规划
扩展芯片：HY57561620