在运用MOS管规划开关电源或许马达驱动电路的时分，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有许多人只是考虑这些要素。这样的电路也许是可以作业的，但并不是优异的，作为正式的产品规划也是不允许的。
下面是我对MOS及MOS驱动电路根底的一点总结，其间参阅了一些材料，并非原创。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及运用电路。
MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT)，可以被制作成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4品种型，但实践运用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以一般说到的NMOS，或许PMOS便是指这两种。
至于为什么不适用号耗尽型的MOS管，不主张寻根究底。
关于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且简略制作。所以开关电源和马达驱动的运用中，一般都用NMOS，下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管束之间有寄生电容存在，这不是咱们需求的，而是因为制作工艺约束发生的，寄生电容的存在使得在规划或挑选驱动电路的时分要费事一些，但没有方法防止，后边再具体介绍。
在MOS管原理图上可以看到漏极和源极之间有一个寄生二极管，这个叫体二极管，在驱动理性负载(如马达)，这个二极管很重要。趁便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部一般是没有的。
MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于必定的值就会导通，适用于源极接地的状况(低端驱动)，只需栅极电压到达4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于必定的值就会导通，适用于源极接Vcc的状况(高端驱动)。可是，尽管PMOS可以很便利的用作高端驱动，但因为导通电阻大，价格贵，替换品种少等原因，在高端驱动中，一般仍是用NMOS。
MOS开关管丢失
不管是NMOS仍是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样点电流就会在这个电阻上耗费能量，这部分耗费的能量叫做导通损耗。挑选导通电阻小的MOS管会减小导通损耗，现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫伏左右，几豪欧的也有。
MOS在导通和截止的时分，必定不是在瞬间完结的。MOS两头的电压有一个下降的进程，流过的电流有一个上升的进程，在这段时刻内，MOS管的丢失时电压和电流的乘积，叫做开关丢失。一般开关丢失比导通丢失大得多，并且开关频率越快，丢失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，形成的丢失也很大。缩短开关时刻，可以减小每次导通时的丢失，下降开关频率，可以减小单位时刻内的开关次数。这两种方法都可以减小开关丢失。
MOS管驱动
跟双极性晶体管比较，一般以为使MOS管导通不需求电流，只需GS电压高于必定的值，就可以了。这个很简略做到，可是，咱们还需求速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS、GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实践上便是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，因为电容充电瞬间可以把电容当作短路，所以瞬间电流会比较大。挑选/规划MOS管驱动时榜首要留意的是可供给瞬间短路电流的巨细。
第二留意的是，遍及用于高端驱动的NMOS，导通时需求是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压和漏极电压(Vcc)相同，所以这是栅极电压要比Vcc大4V或10V。假如在同一个体系里，要得到比Vcc大的电压，就要专门的升压电路了。许多马达驱动器都集成了电荷泵，要留意的是应该挑选适宜的外接电容，以得到满意的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，规划时当然需求有必定的余量。并且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的范畴，但在12V轿车电子体系里，一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其丢失，可以参阅Microchip公司的AN799 matching MOSFET Drivers to MOSFETs， 叙述得很具体，所以不计划多写了。
MOS管运用电路
MOS管最明显的特性是开关特性好，所以被广泛运用于需求电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动电路，也有照明调光。
现在的MOS驱动，有几个特别的需求：
1. 低压运用
当运用5V电源，这时分假如运用传统的图腾柱结构，因为三极管的be只需0.7V左右的压降，导致实践终究加载gate上的电压只需4.3V，这时分，咱们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在必定的危险。相同的问题也发生在运用3V或许其他低压电源的场合。
2. 宽电压运用
输入电压并不是一个固定值，它会跟着时刻或许其他要素而变化。这个变化导致PWM电路供给给MOS管的驱动电压是不稳定的。
为了让MOS管在高gate电压下安全，许多MOS管内置了稳压管强行约束gate电压的幅值。在这种状况下，当供给的驱动电压超越稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
一起，假如简略的用电阻分压的原理下降gate电压，就会呈现输入电压比较高的时分，MOS管作业杰出，而输入电压下降的时分gate电压缺乏，引起导通不行完全，然后添加功耗。
3. 双电压运用
在一些操控电路中，逻辑部分运用典型的5V或3.3V数字电压，而功率部分运用12V乃至更高的电压。两个电压选用共地方法衔接。
这就提出一个要求，需求运用一个电路，让低压侧可以有用的操控高压侧的MOS管，一起高压侧的MOS管也相同会面临1和2说到的问题。
在这三种状况下，图腾柱结构无法满意输出需求，而许多现成的MOS驱动IC，好像也没有包括gate电压约束的结构。
