三极管的主要参数

           （5-6）

上述两个电流扩大系数 和β的意义尽管不同，但作业在输出特性曲线扩大区平整部分的三极管，两者的差异极小，可做近似持平处理，故在往后应用时，一般不加区分，直接相互代替运用。

因为制作工艺的分散性，同一类型三极管的β值差异较大。常用的小功率三极管，β值一般为20～100。β过小，管子的电流扩大效果小，β过大，管子作业的稳定性差，一般选用β在40～80之间的管子较为适宜。

2、极间反向饱和电流I_CBO和I_CEO

    （1）集电结反向饱和电流I_CBO是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的I_CBO在nA（10^-9）的量级，一般可疏忽。

（2）集电极-发射极反向电流I_CEO是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的巨细受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。

3、极限参数

（1）集电极最大答应电流I_CM

晶体管的集电极电流I_C在相当大的范围内β值根本坚持不变，但当I_C的数值大到必定程度时，电流扩大系数β值将下降。使β显着削减的I_C即为I_CM。为了使三极管在扩大电路中能正常作业，I_C不该超越I_CM。

（2）集电极最大答应功耗P_CM

晶体管作业时、集电极电流在集电结大将发生热量，发生热量所耗费的功率便是集电极的功耗P_CM，即

P_CM=I_CU_CE                 （5-7）

功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。依据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的答应功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方为安全作业区，右上方为过损耗区。

手册上给出的P_CM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，运用时应留意不要超越此值，不然管子将损坏。

（3）反向击穿电压U_BR（CEO）

反向击穿电压U_BR（CEO）是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大答应电压。运用中假如管子两头的电压U_CE＞U_BR（CEO），集电极电流I_C将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将构成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源E_C的值选得过大时，有可能会呈现，当管子截止时，U_CE＞U_BR（CEO）导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路的电源电压E_C应小于1/2 U_BR（CEO）。

4、温度对三极管参数的影响

简直一切的三极管参数都与温度有关，因而不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。

（1）对β的影响：

三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的I_B情况下，集电极电流I_C随温度上升而增大。

（2）对反向饱和电流I_CEO的影响：

I_CEO是由少量载流子漂移运动构成的，它与环境温度联系很大，I_CEO随温度上升会急剧添加。温度上升10℃，I_CEO将添加一倍。因为硅管的I_CEO很小，所以，温度对硅管I_CEO的影响不大。

（3）对发射结电压u_be的影响：

和二极管的正向特性相同，温度上升1℃，u_be将下降2～2.5mV。

综上所述，跟着温度的上升，β值将增大，i_C也将增大，u_CE将下降，这对三极管扩大效果晦气，运用中应采纳相应的办法战胜温度的影响。