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可控硅的结构

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一种以

可控硅元件—可控硅元件的结构   


一种以硅单晶为根本资料的P1N1P2N2四层三端器材,创制于1957年,因为它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T。又因为晶闸管开始应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。


在性能上,可控硅不只具有单向导电性,并且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只要导通和关断两种状况。


可控硅能以毫安级电流操控大功率的机电设备,假如超越此频率,因元件开关损耗明显添加,答应经过的均匀电流相下降,此刻,标称电流应降级运用。


可控硅的长处许多,例如:以小功率操控大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反响极快,在微秒级内注册、关断;无触点运转,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。


可控硅的缺点:静态及动态的过载才能较差;简单受搅扰而误导通。


可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。


可控硅元件的结构


不论可控硅的外形怎么,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出操控极G,所以它是一种四层三端的半导体器材。



图1、可控硅结构示意图和符号图 

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