在双向可控硅电路中，电路打火是一种经常呈现的过错现象。许多新手再遭受电路打火之后都需求消耗许多的精力和时刻来进行过错排查。本文将经过举例的方法，为我们介绍一种单片机电路翻开可控硅之后电路打火从而焚毁LDO的原因，并试着找出解决方法。
原理图如图1所示，当直流24V是半波后阻容降压，HT7533转化3V给单片机操控可控硅和继电器，单片机操控信号先翻开可控硅6ms，再翻开继电器。当可控硅不焊接的时分，单片机操控继电器都正常，但接上MAC97A之后，单片机一旦翻开可控硅，电路就会打火，单片机和后端的24V转3V的LDO便会焚毁。
那么是什么原因形成了这种现象呢?
图1
图2
首要需求清晰的是，假如运用可控硅操控，那么就要运用MOC3022之类光耦阻隔操控，要求阻容降压电源正极和沟通电源线共线，一起可控硅A1接在共线上。可是从图上来看，可控硅的G和T2之间电压很小，在可控硅焊接之后，就可以把220v引进，此刻是必定会打火的。
此外可以看到电路中的网格编号是互通的，看图中相同网络编号的黑粗线，继电器两个触点和可控硅的T1、T2是并联的。因而需求再加个MOC3021阻隔驱动可控硅，可控硅驱动不是只在G接操控即可，G的操控是相对于T2的，但本例中的T2是达到了220v。
实际上此套电路的规划思路很有主意，继电器接通时有颤动，这样可以防止继电器颤动带来的损害，因为在继电器接通时可控硅现已打通。
可以看到，文中所介绍的双向可控硅事例之所以呈现焚毁的现象。是因为电压引进过大形成的。当然，也不是每种电路焚毁的现象都是因为这种原因形成的，这儿小编仅仅为我们剖析了其间一种问题的发生原因，期望我们再阅读过本文之后可以有所收成。
