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电子元器材基础知识(1)——半导体器材

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  一、 中国半导体器件型号命名方法  半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管

电子元器材基础知识(1)——半导体器材

  一、 我国半导体器材类型命名办法
  半导体器材类型由五部分(场效应器材、半导体特别器材、复合管、PIN型管、激光器材的类型命名只要第三、四、五部分)组成。五个部分含义如下:


  榜首部分:用数字表明半导体器材有用电极数目。2-二极管、3-三极管


  第二部分:用汉语拼音字母表明半导体器材的资料和极性。表明二极管时:A-N型锗资料、B-P型锗资料、C-N型硅资料、D-P型硅资料。表明三极管时:A-PNP型锗资料、B-NPN型锗资料、C-PNP型硅资料、D-NPN型硅资料。


  第三部分:用汉语拼音字母表明半导体器材的内型。P-一般管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-地道管、N-阻尼管、U-光电器材、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器材、B-雪崩管、J-阶跃康复管、CS-场效应管、BT-半导体特别器材、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器材。


  第四部分:用数字表明序号


  第五部分:用汉语拼音字母表明标准号
  
  例如:3DG18表明NPN型硅资料高频三极管


  日本半导体分立器材类型命名办法


  二、日本出产的半导体分立器材,由五至七部分组成。一般只用到前五个部分,其各部分的符号含义如下:


  榜首部分:用数字表明器材有用电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器材的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器材、3-具有四个有用电极或具有三个pn结的其他器材、┄┄依此类推。


  第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表明已在日本电子工业协会JEIA注册挂号的半导体分立器材。


  第三部分:用字母表明器材运用资料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P操控极可控硅、G-N操控极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。


  第四部分:用数字表明在日本电子工业协会JEIA挂号的顺序号。两位以上的整数-从“11”开端,表明在日本电子工业协会JEIA挂号的顺序号;不同公司的功能相同的器材能够运用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。


  第五部分: 用字母表明同一类型的改善型产品标志。A、B、C、D、E、F表明这一器材是原类型产品的改善产品。


  美国半导体分立器材类型命名办法


  三、美国晶体管或其他半导体器材的命名法较紊乱。美国电子工业协会半导体分立器材命名办法如下:


  榜首部分:用符号表明器材用处的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。


  第二部分:用数字表明pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器材、n-n个pn结器材。


  第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器材已在美国电子工业协会(EIA)注册挂号。


  第四部分:美国电子工业协会挂号顺序号。多位数字-该器材在美国电子工业协会挂号的顺序号。


  第五部分:用字母表明器材分档。A、B、C、D、┄┄-同一类型器材的不同档别。如:JAN2N3251A表明PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA挂号顺序号、A-2N3251A档。


  四、 世界电子联合会半导体器材类型命名办法


  德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都选用世界电子联合会半导体分立器材类型命名办法。这种命名办法由四个根本部分组成,各部分的符号及含义如下:


  榜首部分:用字母表明器材运用的资料。A-器材运用资料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器材运用资料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器材运用资料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器材运用资料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器材运用复合资料及光电池运用的资料


  第二部分:用字母表明器材的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-地道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器材及其他器材、H-磁敏二极管、K-敞开磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-关闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器材、Q-发光器材、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。


  第三部分:用数字或字母加数字表明挂号号。三位数字-代表通用半导体器材的挂号序号、一个字母加二位数字-表明专用半导体器材的挂号序号。


  第四部分:用字母对同一类类型器材进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表明同一类型的器材按某一参数进行分档的标志。


  除四个根本部格外,有时还加后缀,以差异特性或进一步分类。常见后缀如下:
1、稳压二极管类型的后缀。其后缀的榜首部分是一个字母,表明安稳电压值的容许差错规模,字母A、B、C、D、E别离表明容许差错为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表明标称安稳电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称安稳电压的小数值。


2、整流二极管后缀是数字,表明器材的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。


3、晶闸管类型的后缀也是数字,一般标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。


如:BDX51-表明NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表明PNP锗高频小功率三极管。


  五、欧洲前期半导体分立器材类型命名法


  欧洲有些国家,如德国、荷兰选用如下命名办法。


  榜首部分:O-表明半导体器材


  第二部分:A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器材。


  第三部分:多位数字-表明器材的挂号序号。


  第四部分:A、B、C┄┄-表明同一类型器材的变型产品。
  俄罗斯半导体器材类型命名法因为运用少,在此不介绍。


  一、半导体二极管参数符号及其含义


CT—势垒电容
Cj—结(极间)电容, 表明在二极管两头加规则偏压下,锗检波二极管的总电容
Cjv—偏压结电容
Co—零偏压电容
Cjo—零偏压结电容
Cjo/Cjn—结电容改变
Cs—管壳电容或封装电容
Ct—总电容
CTV—电压温度系数。在测验电流下,安稳电压的相对改变与环境温度的肯定改变之比
CTC—电容温度系数
Cvn—标称电容
IF—正向直流电流(正向测验电流)。锗检波二极管在规则的正向电压VF下,经过极间的电流;硅整流管、硅堆在规则的运用条件下,在正弦半波中答应接连经过的最大作业电流(均匀值),硅开关二极管在额定功率下答应经过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF(AV)—正向均匀电流
IFM(IM)—正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,答应经过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH—恒定电流、保持电流。
Ii— 发光二极管起辉电流
IFRM—正向重复峰值电流
IFSM—正向不重复峰值电流(浪涌电流)
Io—整流电流。在特定线路中规则频率和规则电压条件下所经过的作业电流
IF(ov)—正向过载电流
IL—光电流或稳流二极管极限电流
ID—暗电流
IB2—单结晶体管中的基极调制电流
IEM—发射极峰值电流
IEB10—双基极单结晶体管中发射极与榜首基极间反向电流
IEB20—双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM—最大输出均匀电流
IFMP—正向脉冲电流
IP—峰点电流
IV—谷点电流
IGT—晶闸管操控极触发电流
IGD—晶闸管操控极不触发电流
IGFM—操控极正向峰值电流
IR(AV)—反向均匀电流
IR(In)—反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规则值时,所经过的电流;硅开关二极管两头加反向作业电压VR时所经过的电流;稳压二极管在反向电压下,发生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向作业电压下的漏电流。
IRM—反向峰值电流
IRR—晶闸管反向重复均匀电流
IDR—晶闸管断态均匀重复电流
IRRM—反向重复峰值电流
IRSM—反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)
Irp—反向康复电流
Iz—安稳电压电流(反向测验电流)。测验反向电参数时,给定的反向电流
Izk—稳压管膝点电流
IOM—最大正向(整流)电流。在规则条件下,能接受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中答应接连经过锗检波二极管的最大作业电流
IZSM—稳压二极管浪涌电流
IZM—最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管答应经过的电流
iF—正向总瞬时电流
iR—反向总瞬时电流
ir—反向康复电流
Iop—作业电流
Is—稳流二极管安稳电流
f—频率
n—电容改变指数;电容比
Q—优值(质量要素)
δvz—稳压管电压漂移
di/dt—通态电流临界上升率
dv/dt—通态电压临界上升率
PB—接受脉冲焚毁功率
PFT(AV)—正导游通均匀耗散功率
PFTM—正向峰值耗散功率
PFT—正导游通总瞬时耗散功率
Pd—耗散功率
PG—门极均匀功率
PGM—门极峰值功率
PC—操控极均匀功率或集电极耗散功率
Pi—输入功率
PK—最大开关功率
PM—额定功率。硅二极管结温不高于150度所能接受的最大功率
PMP—最大漏过脉冲功率
PMS—最大接受脉冲功率
Po—输出功率
PR—反向浪涌功率
Ptot—总耗散功率
Pomax—最大输出功率
Psc—接连输出功率
PSM—不重复浪涌功率
PZM—最大耗散功率。在给定运用条件下,稳压二极管答应接受的最大功率
RF(r)—正向微分电阻。在正导游通时,电流随电压指数的添加,出现显着的非线性特性。在某一正向电压下,电压添加微小量△V,正向电流相应添加△I,则△V/△I称微分电阻
RBB—双基极晶体管的基极间电阻
RE—射频电阻
RL—负载电阻
Rs(rs)—-串联电阻
Rth—-热阻
R(th)ja—-结到环境的热阻
Rz(ru)—动态电阻
R(th)jc—结到壳的热阻
r δ—衰减电阻
r(th)—瞬态电阻
Ta—环境温度
Tc—壳温
td—延迟时刻
tf—下降时刻
tfr—正向康复时刻
tg—电路换向关断时刻
tgt—门极操控极注册时刻
Tj—结温
Tjm—最高结温
ton—注册时刻
toff—关断时刻
tr—上升时刻
trr—反向康复时刻
ts—存储时刻
tstg—温度补偿二极管的贮成温度
a—温度系数
λp—发光峰值波长
△ λ—光谱半宽度
η—单结晶体管分压比或功率
VB—反向峰值击穿电压
Vc—整流输入电压
VB2B1—基极间电压
VBE10—发射极与榜首基极反向电压
VEB—饱满压降
VFM—最大正向压降(正向峰值电压)
VF—正向压降(正向直流电压)
△VF—正向压降差
VDRM—断态重复峰值电压
VGT—门极触发电压
VGD—门极不触发电压
VGFM—门极正向峰值电压
VGRM—门极反向峰值电压
VF(AV)—正向均匀电压
Vo—沟通输入电压
VOM—最大输出均匀电压
Vop—作业电压
Vn—中心电压
Vp—峰点电压
VR—反向作业电压(反向直流电压)
VRM—反向峰值电压(最高测验电压)
V(BR)—击穿电压
Vth—阀电压(门限电压)
VRRM—反向重复峰值电压(反向浪涌电压)
VRWM—反向作业峰值电压
V v—谷点电压
Vz—安稳电压
△Vz—稳压规模电压增量
Vs—通向电压(信号电压)或稳流管安稳电流电压
av—电压温度系数
Vk—膝点电压(稳流二极管)
VL —极限电压
二、双极型晶体管参数符号及其含义
Cc—集电极电容
Ccb—集电极与基极间电容
Cce—发射极接地输出电容
Ci—输入电容
Cib—共基极输入电容
Cie—共发射极输入电容
Cies—共发射极短路输入电容
Cieo—共发射极开路输入电容
Cn—中和电容(外电路参数)
Co—输出电容
Cob—共基极输出电容。在基极电路中,集电极与基极间输出电容
Coe—共发射极输出电容
Coeo—共发射极开路输出电容
Cre—共发射极反应电容
Cic—集电结势垒电容
CL—负载电容(外电路参数)
Cp—并联电容(外电路参数)
BVcbo—发射极开路,集电极与基极间击穿电压
BVceo—基极开路,CE结击穿电压
BVebo— 集电极开路EB结击穿电压
BVces—基极与发射极短路CE结击穿电压
BV cer—基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压
D—占空比
fT—特征频率
fmax—最高振动频率。当三极管功率增益等于1时的作业频率
hFE—共发射极静态电流放大系数
hIE—共发射极静态输入阻抗
hOE—共发射极静态输出电导
h RE—共发射极静态电压反应系数
hie—共发射极小信号短路输入阻抗
hre—共发射极小信号开路电压反应系数
hfe—共发射极小信号短路电压放大系数
hoe—共发射极小信号开路输出导纳
IB—基极直流电流或沟通电流的均匀值
Ic—集电极直流电流或沟通电流的均匀值
IE—发射极直流电流或沟通电流的均匀值
Icbo—基极接地,发射极对地开路,在规则的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo—发射极接地,基极对地开路,在规则的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo—基极接地,集电极对地开路,在规则的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流
Icer—基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规则值时,集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices—发射极接地,基极对地短路,在规则的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex—发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规则的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM—集电极最大答应电流或沟通电流的最大均匀值。
IBM—在集电极答应耗散功率的规模内,能接连地经过基极的直流电流的最大值,或沟通电流的最大均匀值
ICMP—集电极最大答应脉冲电流
ISB—二次击穿电流
IAGC—正向自动操控电流
Pc—集电极耗散功率
PCM—集电极最大答应耗散功率
Pi—输入功率
Po—输出功率
Posc—振动功率
Pn—噪声功率
Ptot—总耗散功率
ESB—二次击穿能量
rbb’—基区扩展电阻(基区本征电阻)
rbb’Cc—基极-集电极时刻常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie—发射极接地,沟通输出短路时的输入电阻
roe—发射极接地,在规则VCE、Ic或IE、频率条件下测定的沟通输入短路时的输出电阻
RE—外接发射极电阻(外电路参数)
RB—外接基极电阻(外电路参数)
Rc —外接集电极电阻(外电路参数)
RBE—外接基极-发射极间电阻(外电路参数)
RL—负载电阻(外电路参数)
RG—信号源内阻
Rth—热阻
Ta—环境温度
Tc—管壳温度
Ts—结温
Tjm—最大答应结温
Tstg—储存温度
td—-延迟时刻
tr—上升时刻
ts—存贮时刻
tf—下降时刻
ton—注册时刻
toff—关断时刻
VCB—集电极-基极(直流)电压
VCE—集电极-发射极(直流)电压
VBE—基极发射极(直流)电压
VCBO—基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEBO—基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCEO—发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER—发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES—发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX—发射极接地,基极与发射极之间加规则的偏压,集电极与发射极之间在规则条件下的最高耐压
Vp—穿通电压。
VSB—二次击穿电压
VBB—基极(直流)电源电压(外电路参数)
Vcc—集电极(直流)电源电压(外电路参数)
VEE—发射极(直流)电源电压(外电路参数)
VCE(sat)—发射极接地,规则Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱满压降
VBE(sat)—发射极接地,规则Ic、IB条件下,基极-发射极饱满压降(前向压降)
VAGC—正向自动增益操控电压
Vn(p-p)—输入端等效噪声电压峰值
V n—噪声电压
Cj—结(极间)电容, 表明在二极管两头加规则偏压下,锗检波二极管的总电容
Cjv—偏压结电容
Co—零偏压电容
Cjo—零偏压结电容
Cjo/Cjn—结电容改变
Cs—管壳电容或封装电容
Ct—总电容
CTV—电压温度系数。在测验电流下,安稳电压的相对改变与环境温度的肯定改变之比
CTC—电容温度系数
Cvn—标称电容
IF—正向直流电流(正向测验电流)。锗检波二极管在规则的正向电压VF下,经过极间的电流;硅整流管、硅堆在规则的运用条件下,在正弦半波中答应接连经过的最大作业电流(均匀值),硅开关二极管在额定功率下答应经过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF(AV)—正向均匀电流
IFM(IM)—正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,答应经过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH—恒定电流、保持电流。
Ii— 发光二极管起辉电流
IFRM—正向重复峰值电流
IFSM—正向不重复峰值电流(浪涌电流)
Io—整流电流。在特定线路中规则频率和规则电压条件下所经过的作业电流
IF(ov)—正向过载电流
IL—光电流或稳流二极管极限电流
ID—暗电流
IB2—单结晶体管中的基极调制电流
IEM—发射极峰值电流
IEB10—双基极单结晶体管中发射极与榜首基极间反向电流
IEB20—双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM—最大输出均匀电流
IFMP—正向脉冲电流
IP—峰点电流
IV—谷点电流
IGT—晶闸管操控极触发电流
IGD—晶闸管操控极不触发电流
IGFM—操控极正向峰值电流
IR(AV)—反向均匀电流
IR(In)—反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规则值时,所经过的电流;硅开关二极管两头加反向作业电压VR时所经过的电流;稳压二极管在反向电压下,发生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向作业电压下的漏电流。
IRM—反向峰值电流
IRR—晶闸管反向重复均匀电流
IDR—晶闸管断态均匀重复电流
IRRM—反向重复峰值电流
IRSM—反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)
Irp—反向康复电流
Iz—安稳电压电流(反向测验电流)。测验反向电参数时,给定的反向电流
Izk—稳压管膝点电流
IOM—最大正向(整流)电流。在规则条件下,能接受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中答应接连经过锗检波二极管的最大作业电流
IZSM—稳压二极管浪涌电流
IZM—最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管答应经过的电流
iF—正向总瞬时电流
iR—反向总瞬时电流
ir—反向康复电流
Iop—作业电流
Is—稳流二极管安稳电流
f—频率
n—电容改变指数;电容比
Q—优值(质量要素)
δvz—稳压管电压漂移
di/dt—通态电流临界上升率
dv/dt—通态电压临界上升率
PB—接受脉冲焚毁功率
PFT(AV)—正导游通均匀耗散功率
PFTM—正向峰值耗散功率
PFT—正导游通总瞬时耗散功率
Pd—耗散功率
PG—门极均匀功率
PGM—门极峰值功率
PC—操控极均匀功率或集电极耗散功率
Pi—输入功率
PK—最大开关功率
PM—额定功率。硅二极管结温不高于150度所能接受的最大功率
PMP—最大漏过脉冲功率
PMS—最大接受脉冲功率
Po—输出功率
PR—反向浪涌功率
Ptot—总耗散功率
Pomax—最大输出功率
Psc—接连输出功率
PSM—不重复浪涌功率
PZM—最大耗散功率。在给定运用条件下,稳压二极管答应接受的最大功率
RF(r)—正向微分电阻。在正导游通时,电流随电压指数的添加,出现显着的非线性特性。在某一正向电压下,电压添加微小量△V,正向电流相应添加△I,则△V/△I称微分电阻
RBB—双基极晶体管的基极间电阻
RE—射频电阻
RL—负载电阻
Rs(rs)—-串联电阻
Rth—-热阻
R(th)ja—-结到环境的热阻
Rz(ru)—动态电阻
R(th)jc—结到壳的热阻
r δ—衰减电阻
r(th)—瞬态电阻
Ta—环境温度
Tc—壳温
td—延迟时刻
tf—下降时刻
tfr—正向康复时刻
tg—电路换向关断时刻
tgt—门极操控极注册时刻
Tj—结温
Tjm—最高结温
ton—注册时刻
toff—关断时刻
tr—上升时刻
trr—反向康复时刻
ts—存储时刻
tstg—温度补偿二极管的贮成温度
a—温度系数
λp—发光峰值波长
△ λ—光谱半宽度
η—单结晶体管分压比或功率
VB—反向峰值击穿电压
Vc—整流输入电压
VB2B1—基极间电压
VBE10—发射极与榜首基极反向电压
VEB—饱满压降
VFM—最大正向压降(正向峰值电压)
VF—正向压降(正向直流电压)
△VF—正向压降差
VDRM—断态重复峰值电压
VGT—门极触发电压
VGD—门极不触发电压
VGFM—门极正向峰值电压
VGRM—门极反向峰值电压
VF(AV)—正向均匀电压
Vo—沟通输入电压
VOM—最大输出均匀电压
Vop—作业电压
Vn—中心电压
Vp—峰点电压
VR—反向作业电压(反向直流电压)
VRM—反向峰值电压(最高测验电压)
V(BR)—击穿电压
Vth—阀电压(门限电压)
VRRM—反向重复峰值电压(反向浪涌电压)
VRWM—反向作业峰值电压
V v—谷点电压
Vz—安稳电压
△Vz—稳压规模电压增量
Vs—通向电压(信号电压)或稳流管安稳电流电压
av—电压温度系数
Vk—膝点电压(稳流二极管)
VL —极限电压


  三、场效应管参数符号含义


Cds—漏-源电容
Cdu—漏-衬底电容
Cgd—栅-源电容
Cgs—漏-源电容
Ciss—栅短路共源输入电容
Coss—栅短路共源输出电容
Crss—栅短路共源反向传输电容
D—占空比(占空系数,外电路参数)
di/dt—电流上升率(外电路参数)
dv/dt—电压上升率(外电路参数)
ID—漏极电流(直流)
IDM—漏极脉冲电流
ID(on)—通态漏极电流
IDQ—静态漏极电流(射频功率管)
IDS—漏源电流
IDSM—最大漏源电流
IDSS—栅-源短路时,漏极电流
IDS(sat)—沟道饱满电流(漏源饱满电流)
IG—栅极电流(直流)
IGF—正向栅电流
IGR—反向栅电流
IGDO—源极开路时,截止栅电流
IGSO—漏极开路时,截止栅电流
IGM—栅极脉冲电流
IGP—栅极峰值电流
IF—二极管正向电流
IGSS—漏极短路时截止栅电流
IDSS1—对管榜首管漏源饱满电流
IDSS2—对管第二管漏源饱满电流
Iu—衬底电流
Ipr—电流脉冲峰值(外电路参数)
gfs—正向跨导
Gp—功率增益
Gps—共源极中和高频功率增益
GpG—共栅极中和高频功率增益
GPD—共漏极中和高频功率增益
ggd—栅漏电导
gds—漏源电导
K—失调电压温度系数
Ku—传输系数
L—负载电感(外电路参数)
LD—漏极电感
Ls—源极电感
rDS—漏源电阻
rDS(on)—漏源通态电阻
rDS(of)—漏源断态电阻
rGD—栅漏电阻
rGS—栅源电阻
Rg—栅极外接电阻(外电路参数)
RL—负载电阻(外电路参数)
R(th)jc—结壳热阻
R(th)ja—结环热阻
PD—漏极耗散功率
PDM—漏极最大答应耗散功率
PIN–输入功率
POUT—输出功率
PPK—脉冲功率峰值(外电路参数)
to(on)—注册延迟时刻
td(off)—关断延迟时刻
TI—上升时刻
ton—注册时刻
toff—关断时刻
tf—下降时刻
trr—反向康复时刻
Tj—结温
Tjm—最大答应结温
Ta—环境温度
Tc—管壳温度
Tstg—贮成温度
VDS—漏源电压(直流)
VGS—栅源电压(直流)
VGSF–正向栅源电压(直流)
VGSR—反向栅源电压(直流)
VDD—漏极(直流)电源电压(外电路参数)
VGG—栅极(直流)电源电压(外电路参数)
Vss—源极(直流)电源电压(外电路参数)
VGS(th)—敞开电压或阀电压
V(BR)DSS—漏源击穿电压
V(BR)GSS—漏源短路时栅源击穿电压
VDS(on)—漏源通态电压
VDS(sat)—漏源饱满电压
VGD—栅漏电压(直流)
Vsu—源衬底电压(直流)
VDu—漏衬底电压(直流)
VGu—栅衬底电压(直流)
Zo—驱动源内阻
η—漏极功率(射频功率管)
Vn—噪声电压
aID—漏极电流温度系数
ards—漏源电阻温度系数

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