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栅极驱动耦合器:TLP352

本站为您提供的栅极驱动耦合器:TLP352,栅极驱动耦合器:TLP352,TLP352是可直接驱动中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封装的IC耦合器。

 

  TLP352是可直接驱动中等容量IGBT或许功率MOSFET的DIP8封装的IC耦合器。该产品的最大推迟时刻为200 ns,光电耦合器之间的传输推迟时刻差(PDD*) 为90 ns(上述推迟时刻均为工作温度範围内的确保值), 可以削减阻滞时刻,进步变频电路的功率。该产品採用的是运用寿命十分长的新式LED,因而其工作温度範围较大,在-40°C到125°C之间。该产品适用于许多设备,包含极点热环境下运用的工业设备、家用光电动力系统、数位家用电器、丈量设备和操控设备。

  *: PDD是传输推迟时刻差的缩写。

  


IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器产品相片: TLP352.

 

  特徵

  传输推迟时刻: tpLH,tpHL=200ns (最大)

  耦合器之间的传输推迟时刻差(PDD) = ±90ns (最大)

  工作温度範围大: Topr = −40°C到125°C

  峰值输出电流: IOP = ±2.5A (最大)

  低输入电流: IFHL = 5mA (最大)

  耐压: BVs = 3750Vrms (最小)

  使用

  沟通伺服放大器

  功率调节器

  通用变频器

  IH(感应加热)

  概括图

  


IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器概括阐明图: TLP352.

 

  *: 供给可选表贴式引脚类型。

  电路实例

  


IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器电路实例阐明图: TLP352.

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