某刊不久前注销《两款电路更简练的可控硅智力抢答器》一文，文中介绍了两款抢答器及其作业原理，笔者以为该文规划欠妥，且剖析论述也有过错之处。现以该文图1所示电路（见附图）为例，剖析如下。
接通电源开关KB后，LED0发光。抢答器各路按键SBX按动前，因可控硅VS1～VSn均关断，VT无触发电流而截止。此刻A点电压约4V，B点电压为0V，音乐门铃IC无作业电源，电路处于等候状况。当按动任一路抢答按键（如SB1）后，VS1触发导通，在LED1发光的一起，B点电压升至3.2V左右，VT饱满导通将R2和LED0短路，LED0平息，一起为IC供给作业电源，扬声器发声。此刻A点电压降至近0V，即便按下其它按键也不能触发相应的可控硅。
因为任一路VS1导通都使B点升至3.2V左右，假如此刻最先按下的某路按键（如SB1）还未松开，还有一路按键（如SB2）被按下，那么VS1的操控极电压（3.2+0.6V）必然经过SB2将VS2也触发导通，使LED2发光形成无法判别，为防止此现象的产生，电路在各路触发支路中均串联了一只阻隔二极管。
笔者以为该规划及其电路原理论述存在以下问题。 图中的三极管VT在饱满导通前，即A点电压没有降至不能触发其它可控硅之前，按动任何一路按键都能够使对应的可控硅触发，按钮开关上串联的二极管D1～Dn不能产生什么”阻隔”效果！
实践上，D1～Dn在该规划中仅起到进步可控硅触发电平的效果。假如原可控硅的触发电平为VO，则串入二极管后的触发电平变为VO+VD（VD一般为0.6～0.7V），假定可控硅本来需1V电压触发，串入二极管后则变成1.6V左右电压才干触发该可控硅，其结果是下降了可控硅的触发灵敏度，但进步了电路的抗干扰才能。
因为D1～Dn没有”阻隔”效果，电路中也没有抢答器有必要采纳的其它支路抢答封闭办法，而是仅靠三极管VT饱满导通，下降A点电压–实践只要在A点电压下降到VO+VD=1.6V以下时，按动其它支路抢答按键时才会失掉效果。
因而，该抢答器有或许呈现多路一起接通的现象，当然也会呈现误判现象。例如，假定SB1首要被按下，SB2稍迟一些被按下，本应VS1首要被触发，一起制止稍后的VS2（或其它可控硅）再被触发，但该电路不具备此项功用，D1、D2等并没有所谓的”阻隔”效果。此外，若可控硅VS2的触发功能比VS1好（因为元器件参数的离散性，这是常见现象），那么，尽管SB2稍后一点按下，VS2却会比VS1抢先触发！
当然，在VT导通、并在A点电压下降至1.6V以下后，这种”竞赛”和”误判”现象能够防止，在此之前（即便仅有抢答时常常产生的霎那时间）此现象将一向存在，这是原电路规划的最大败笔。 此外，因为上述原因，原电路对VT的要求应非常严厉，首要要求上升时间特别短，其次要求饱满压降尽或许地低；原电路还应严厉选择可控硅、二极管等元器件，它们的各种功能应该完全一致。
重庆 奚龙发文
（作者在剖析原电路规划存在缺乏后给出了改善电路，本报将于下期本版注销，欢迎读者阅读完后参与评论。编者注）
