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具体解读LED芯片的制作工艺流程

详细解读LED芯片的制造工艺流程-LED 芯片的制造工艺流程:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀

  LED 芯片的制造进程可概分为晶圆处理工序(Wafer FabricaTIon)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测验工序(IniTIal Test andFinal Test)等几个进程。其间晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测验工序为后段(Back End)工序。

  1、晶圆处理工序

  本工序的首要作业是在晶圆上制造电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序一般与产种类类和所运用的技能有关,但一般根本进程是先将晶圆恰当清洗,再在其外表进行氧化及化学气相堆积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等重复进程,终究在晶圆上完成数层电路及元件加工与制造。

  2、晶圆针测工序

  经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般状况下,为便于测验,进步功率,同一片晶圆上制造同一种类、规范的产品;但也可依据需求制造几种不同种类、规范的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗独自的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则放弃。

  3、构装工序

  便是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚衔接,以作为与外界电路板衔接之用,最终盖上塑胶盖板,用胶水封死。其意图是用以维护晶粒防止遭到机械刮伤或高温损坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即咱们在电脑里能够看到的那些黑色或褐色,两头或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。

  4、测验工序

  芯片制造的最终一道工序为测验,其又可分为一般测验和特别测验,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测验其电气特性,如耗费功率、运转速度、耐压度等。经测验后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。而特别测验则是依据客户特别需求的技能参数,从附近参数规范、种类中拿出部分芯片,做有针对性的专门测验,看是否能满意客户的特别需求,以决议是否须为客户规划专用芯片。经一般测验合格的产品贴上规范、类型及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未经过测验的芯片则视其到达的参数状况定作降级品或废品。

  LED芯片的制造工艺流程:

  外延片→清洗→镀通明电极层→通明电极图形光刻→腐蚀→去胶→渠道图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 堆积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切开→芯片→制品测验。

  

  LED芯片的制造工艺流程

  其实外延片的出产制造进程是非常复杂的,在展完外延片后,下一步就开端对LED 外延片做电极(P 极,N 极),接着就开端用激光机切开LED 外延片(曾经切开LED 外延片首要用钻石刀),制造成芯片后,在晶圆上的不同方位抽取九个点做参数测验。

  1、首要对电压、波长、亮度进行测验,能契合正常出货规范参数的晶圆片再持续做下一步的操作,假如这九点测验不契合相关要求的晶圆片,就放在一边别的处理。

  2、晶圆切开成芯片后,100%的目检(VI/VC),操作者要运用扩大30 倍数的显微镜下进行目测。

  3、接着运用全自动分类机依据不同的电压,波长,亮度的猜测参数对芯片进行全自动化选择、测验和分类。

  4、最终对LED 芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心,蓝膜上最多有5000 粒芯片,但有必要保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000 粒,芯片类型、批号、数量和光电丈量统计数据记录在标签上,附在蜡光纸的反面。蓝膜上的芯片将做最终的目检测验与第一次目检规范相同,保证芯片摆放规整和质量合格。这样就制成LED 芯片(现在市场上总称方片)。在LED 芯片制造进程中,把一些有缺点的或许电极有磨损的芯片,分捡出来,这些便是后边的散晶,此刻在蓝膜上有一些不契合正常出货要求的晶片,也就天然成了边片或毛片等。

  方才谈到在晶圆上的不同方位抽取九个点做参数测验,关于不契合相关要求的晶圆片作别的处理,这些晶圆片是不能直接用来做LED 方片,也就不做任何分检了,直接卖给客户了,也便是现在市场上的LED 大圆片(可是大圆片里也有好东西,如方片)。

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