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STM32 外部 SRAM

STM32F103ZET6自带了64K字节的SRAM,对一般应用来说,已经足够了,不过在一些对内存要求高的场合,STM32自带的这些内存就不够用了。比如跑…

STM32F103ZET6自带了64K字节的SRAM,对一般运用来说,现已足够了,不过在一些对内存要求高的场合,STM32自带的这些内存就不够用了。比方跑算法或许跑GUI等,就可能不太够用

IS62WV51216简介

IS62WV51216是ISSI(IntegratedSiliconSolution,Inc)公司出产的一颗16位宽512K(512*16,即1M字节)容量的CMOS静态内存芯片。该芯片具有如下几个特色:

l高速。具有45ns/55ns拜访速度。

l低功耗

lTTL电平兼容。

l全静态操作。不需求刷新和时钟电路

l三态输出。

l字节操控功用。支撑高/低字节操控。

看看完成IS62WV51216的拜访,需求对FSMC进行哪些装备。这儿就做一个概括性的解说。过程如下:

1)使能FSMC时钟,并装备FSMC相关的IO及其时钟使能。

要运用FSMC,当然首先得敞开其时钟。然后需求把FSMC_D0~15,FSMCA0~18等相关IO口,悉数装备为复用输出,并使能各IO组的时钟。

使能FSMC时钟的办法:

RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

关于其他IO口设置的办法前面解说很具体,这儿不做过多的解说。

2)设置FSMCBANK1区域3。

此部分包含设置区域3的存储器的作业形式、位宽和读写时序等。咱们运用形式A、16位宽,读写共用一个时序寄存器。运用的函数是:

voidFSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef*FSMC_NORSRAMInitStruct)

3)使能BANK1区域3。

使能BANK的办法跟前面LCD试验也是相同的,这儿也不做具体解说,函数是:

voidFSMC_NORSRAMCmd(uint32_tFSMC_Bank,FunctionalStateNewState);

经过以上几个过程,咱们就完成了FSMC的装备,能够拜访IS62WV51216了,这儿还需求注意,由于咱们运用的是BANK1的区域3,所以HADDR[27:26]=10,故外部内存的首地址为0X68000000。

  1. //运用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
  2. //对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线规模为A0~A17
  3. //对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线规模为A0~A18
  4. #defineBank1_SRAM3_ADDR((u32)(0x68000000))
  5. //初始化外部SRAM
  6. voidFSMC_SRAM_Init(void)
  7. {
  8. FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
  9. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
  10. GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
  11. RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
  12. RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
  13. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF33; //PORTD复用推挽输出
  14. GPIO_InitStructure.GPIO_Mode=GPIO_Mode_AF_PP;//复用推挽输出
  15. GPIO_InitStructure.GPIO_Speed=GPIO_Speed_50MHz;
  16. GPIO_Init(GPIOD,&GPIO_InitStructure);
  17. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF83; //PORTE复用推挽输出
  18. GPIO_Init(GPIOE,&GPIO_InitStructure);
  19. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xF03F; //PORTD复用推挽输出
  20. GPIO_Init(GPIOF,&GPIO_InitStructure);
  21. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0x043F; //PORTD复用推挽输出
  22. GPIO_Init(GPIOG,&GPIO_InitStructure);
  23. readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime=0x00;//地址树立时刻(ADDSET)为1个HCLK 1/36M=27ns
  24. readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime=0x00;//地址坚持时刻(ADDHLD)形式A未用到
  25. readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime=0x03;//数据坚持时刻(DATAST)为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片)
  26. readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration=0x00;
  27. readWriteTiming.FSMC_CLKDivision=0x00;
  28. readWriteTiming.FSMC_DataLatency=0x00;
  29. readWriteTiming.FSMC_AccessMode=FSMC_AccessMode_A;//形式A
  30. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank=FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 这儿咱们运用NE3 ,也就对应BTCR[4],[5]。
  31. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux=FSMC_DataAddressMux_Disable;
  32. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
  33. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth=FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit
  34. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode=FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
  35. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity=FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
  36. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
  37. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode=FSMC_WrapMode_Disable;
  38. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive=FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
  39. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation=FSMC_WriteOperation_Enable;//存储器写使能
  40. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal=FSMC_WaitSignal_Disable;
  41. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode=FSMC_ExtendedMode_Disable;// 读写运用相同的时序
  42. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst=FSMC_WriteBurst_Disable;
  43. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct=&readWriteTiming;
  44. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct=&readWriteTiming;//读写相同时序
  45. FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);//初始化FSMC装备
  46. FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3,ENABLE);// 使能BANK3
  47. }
  48. //在指定地址开端,接连写入n个字节.
  49. //pBuffer:字节指针
  50. //WriteAddr:要写入的地址
  51. //n:要写入的字节数
  52. voidFSMC_SRAM_WriteBuffer(u8*pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
  53. {
  54. for(;n!=0;n–)
  55. {
  56. *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
  57. WriteAddr+=2;//这儿需求加2,是由于STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
  58. pBuffer++;
  59. }
  60. }
  61. //在指定地址开端,接连读出n个字节.
  62. //pBuffer:字节指针
  63. //ReadAddr:要读出的开始地址
  64. //n:要写入的字节数
  65. voidFSMC_SRAM_ReadBuffer(u8*pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
  66. {
  67. for(;n!=0;n–)
  68. {
  69. *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
  70. ReadAddr+=2;//这儿需求加2,是由于STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
  71. }
  72. }
  73. ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
  74. //测试函数
  75. //在指定地址写入1个字节
  76. //addr:地址
  77. //data:要写入的数据
  78. voidfsmc_sram_test_write(u8data,u32 addr)
  79. {
  80. FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//写入1个字节
  81. }
  82. //读取1个字节
  83. //addr:要读取的地址
  84. //返回值:读取到的数据
  85. u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
  86. {
  87. u8data;
  88. FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
  89. returndata;
  90. }

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