东京—东芝公司（TOKYO：6502）今日宣告推出选用低高度SO6L封装的轨对轨输出栅极驱动光电耦合器，用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）及功率金属氧化物半导体场效应晶体管（power MOSFET）。量产出货本日发动。
新款光电耦合器包含用于驱动小功率IGBT的“TLP5751”和用于驱动中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”，它们均选用低高度SO6L封装。与选用DIP8封装的东芝产品比较，新产品的高度仅为前者的54%，设备面积仅为前者的43%，有助于开发更纤薄细巧的设备。虽然高度较低，但新产品仍然确保了8mm的爬电间隔和5kV的绝缘电压，适用于对绝缘标准要求较高的使用。
电气特性方面，新款光电耦合器拥有轨对轨输出，在满摆幅输出状态下可通过扩展操作电压规模来完成更高的功率。新产品供给1A、2.5A和4A三种输出电流，以满意广泛的用户需求。新产品还内置东芝首创的高功率红外LED，适用于多种使用，包含需求高度热稳定性的使用，例如工厂自动化、家用光电电力系统、数字化家用电器和不间断电源（UPS）。
新产品首要标准
