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怎么区别肖特基、快康复和超快康复二极管

本站为您提供的如何区分肖特基、快恢复和超快恢复二极管,在高频、大电流整流以及续流电路中,大量使用了快恢复二极管(FBR)、超快恢复二极管(SRD)和肖特基二极管(SBD)。肖特基二极管利用了肖特基,来对金属或半导体接触面上的反向电压来进行阻挡,从而让电流进行单向的传导。与传统的二极管不同,肖特基与PN结的结构相比,存在很大的差异。快速恢复二极管,顾名思义是一种能够快速恢复反向时间的半导体二极管,本文主要从结构特点、性能参数方面来进行分析对比。

  在高频、大电流整流以及续流电路中,很多运用了快康复二极管(FBR)、超快康复二极管(SRD)和肖特基二极管(SBD)。

  肖特基二极管利用了肖特基,来对金属或半导体触摸面上的反向电压来进行阻挠,然后让电流进行单向的传导。与传统的二极管不同,肖特基与PN结的结构比较,存在很大的差异。快速康复二极管,望文生义是一种能够快速康复反向时刻的半导体二极管,本文首要从结构特色、功能参数方面来进行剖析比照。

  怎么区别肖特基、快康复和超快康复二极管

  简介

  肖特基二极管是以金属和半导体触摸构成的势垒为根底的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压下降(0.4–0.5V)、反向康复时刻很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。

  快康复二极管是指反向康复时刻很短的二极管(5us以下),工艺上多选用掺金办法,结构上有选用PN结型结构,有的选用改进的PIN结构。其正向压降高于一般二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从功能上可分为快康复和超快康复两个等级。前者反向康复时刻为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。

  超快康复二极管(简称fred)是一种具有开关特性好、反向康复时刻超短的半导体二极管,常用来给高频逆变设备的开关器材作续流、吸收、箝位、阻隔、输出和输入整流器,使开关器材的功用得到充分发挥。超快康复二极管是用电设备高频化(20khz以上)和高频设备固态化开展不可或缺的重要器材。

  怎么区别肖特基、快康复和超快康复二极管

  快康复、超快康复二极管的结构特色

  快康复二极管的内部结构与一般二极管不同,它是在P 型、N 型硅资料中心增加了基区I,构成P-I-N硅片。因为基区很薄,反向康复电荷很小,不只大大减小了trr值,还下降了瞬态正向压降,使管子能接受很高的反向作业电压。快康复二极管的反向康复时刻一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快康复二极管的反向康复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。

  20A以下的快康复及超快康复二极管大多选用TO-220封装方式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包括两只快康复二极管,依据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。几十安的快康复二极管一般选用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则选用螺栓型或平板型封装方式。

  功能、参数比较

  下表列出了肖特基二极管和超快康复二极管、快速康复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的功能比较。由表可见,硅高速开关二极管的trr虽极低,但均匀整流电流很小,不能作大电流整流用。

  怎么区别肖特基、快康复和超快康复二极管

  反向康复时刻

  什么是反向康复时刻?当外加二极管的电压瞬间从正向转到反向时,流经器材的电流并不能相应地瞬间从正向电流转化为反向电流。此刻,正向注入的少量载流子(空穴)被空间电荷区的强电场抽取,因为这些空穴的密度高于基区平衡空穴密度,因此在反向偏置瞬间,将发生一个远大于反向漏电流的反向电流,即反向康复电流IRM。与此一起,契合进程的强化也在加快这些额定载流子密度的下降,直到基区中堆集的额定载流子的彻底消失,反向电流才下降并安稳到反向漏电流。整个进程所阅历的时刻为反向康复时刻。

  反向康复时刻trr的界说是:电流经过零点由正向转化到规则低值的时刻距离。它是衡量高频续流及整流器材功能的重要技术指标。

  区别肖特基二极管与快康复二极管

  1、结构原理不同,肖特基二极管是宝贵金属和n型半导体结组成,快康复二极管是一般pn结加了个薄基区。

  2、快康复二极管是指反向康复时刻很短的二极管(5us以下),工艺上多选用掺金办法,结构上有选用PN结型结构,有的选用改进的PIN结构。其正向压降高于一般二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从功能上可分为快康复和超快康复两个等级。前者反向康复时刻为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体触摸构成的势垒为根底的二极管,称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压下降(0.4–0.5V)、反向康复时刻很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。

  3、肖特基二极管反向击穿电压大多不高于60V,最高仅约100V,约束其运用,快康复二极管反向峰值能够到几百到几千伏,因此像在开关电源变压器次级用100V以上的高频整流二极管等只要运用快速康复(UFRD)。

  4、肖特基正导游通压降仅0.4V左,快回复二级馆0.6伏, 总的来说,因为肖特基二极管中少量载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时刻常数约束,因此,它是高频和快速开关的抱负器材。其作业频率可达100GHz。而且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管能够用来制作太阳能电池或发光二极管。快康复二极管:有0.8-1.1V的正导游通压降,35-85nS的反向康复时刻,在导通和截止之间敏捷转化,提高了器材的运用频率并改进了波形。快康复二极管在制作工艺上选用掺金,单纯的分散等工艺,可获得较高的开关速度,一起也能得到较高的耐压。现在快康复二极管首要应用在逆变电源中做整流元件。

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