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ARM渠道数据为何会不可思议丢掉

Nand-Flash/eMMC(带有Flash控制器的Nand-Flash)作为一种非线性宏单元模式存储器,为固态大容量存储的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-Flash存储器具有容量大,改

  Nand-Flash/eMMC(带有Flash操控器的Nand-Flash)作为一种非线性宏单元形式存储器,为固态大容量存储的完结供给了廉价有用的处理计划。Nand-Flash存储器具有容量大,改写速度快等长处,适用于许多数据的存储,因而越来越广泛地使用在如嵌入式产品、智能手机、云端存储资料库等业界各范畴。

    

  图1 Nand-Flash与eMMC芯片

  1.1存储器材运用寿数

  运用了Nand-Flash的主板呈现丢数据掉程序现象,是一个让许多工程师毛骨悚然的事端。眼看着程序用着用着就消失了,只能干着急也无法下手。有经历的工程师手起刀落换上一颗新物料,熬夜补代码继续撑过半个项目周期。回头无处宣泄还要雷厉风行换厂商、换品牌。与其换几片Nand-Flash还能负担得起,但毕竟这是一个无底洞,不如去深化探明问题原因,否则散尽家财也无法弥补亏空。

  器材数据手册中一般描绘Nand-Flash的块擦写寿数达10万次,EMMC的块擦写最高也会有1万次;同理,EEPROM、SD卡、CF卡、U盘、Flash硬盘等存储介质在都存在写寿数的问题。在文件体系向写数据的底层存储器块写数据时,惯例会先将块里的数据读出来,擦除块洁净后,将需求写入的数据和之前读出来的块数据一同在回写到存储器里边去,假如文件体系写平衡没有处理好,特别是要求1分钟以内要记载一次数据这样频频的擦写块操作,就有或许将Nand-Flash或EMMC的块写坏。

  1.2存储器材掉电丢数据

  文件体系向存储器写数据时,惯例是先将块里的数据读出来,擦除块洁净后,将需求写入的数据和之前读出来的块数据一同在回写到存储器里边去。假如设备在擦除块过程中或许在回写数据过程中意外产生断电甚至电压不安稳,均会造出数据丢掉或许损坏。假如丢掉的数据是文件体系的FAT表,则会形成文件体系溃散。这便是引起体系程序无法发动灾难性结果的原因。

  1.3体系数据维护计划

  许多时分,产品在未出厂前烧录程序、重复测验,无论怎样折腾也不会呈现丢程序的状况。这或许的要素是测验设备确保了安稳的运转中电源输出,因而体系运转中正常的Flash维护机制是牢靠履行的。

  相关于用户实践运用而言,想防止Flash损坏的状况。需求严格遵守产品阐明运用,特别留意防止在Flash擦除或写入过程中人为地忽然掉电。这是存储器材用法的一个大忌,即便无缺的器材,如此不规范的运用也会大大缩短其寿数。并且不同环境下的电源体系形形色色,在电源不满足功率要求状况下程序关于电源低电量的检测阈值较低,此刻强制发动体系或履行写操作更会加重体系耗电动摇,巨大的纹波也会引起CPU对存储的误操作。

  处理此问题关于软件方面而言:

  调试体系或现场运用时,主张运用软件复位,防止人为频频的经过断电完结复位操作;有断电必要时,将打印信息增加如“体系加载完结”、“数据保存结束”等指示阐明后操作;

  软件采纳Flash均衡保存算法,高效地调整更改数据时擦除的Flash区域巨细;

  可将数据先写入内存或许铁电存储器,然后定时的再将数据搬移到大的存储器里边,削减直接断Nand-Flash、EMMC擦写次数;

  在程序中参加或许进步电源电量检测的阈值,程序上确保一切电源体系下的芯片在此阈值上均能够正常作业。

  读写过程中细心对坏块表进行维护更新,防止程序写入坏块。读取数据时对ECC校验,确保读取数据无误。

  从硬件视点考虑需求留意:

  用法上防止在Flash擦除或写入过程中人为忽然掉电;

  规划好处理操控中心的电源体系,防止CPU等在发动、运转中,电源体系因瞬时改变引起的纹波等状况;

  调配掉电检测电路,在检测到外部电源掉电的一起,及时敏捷封闭文件体系,中止向文件体系内写数据的操作;

  增加文件体系电源域UPS电源,甚至整机掉电续航作业电源;

  关于运用EEPROM等小容量存储的用户而言,能够考虑运用高牢靠性的铁电资料加工制成的铁电非易失性存储器FRAM来替换。FRAM能够像RAM相同快速读写。数据在掉电后能够保存10年,且其读写寿数高达100亿次,比EEPROM和其他非易失性记忆体体系牢靠性更高,结构更简略,功耗低一级长处。

    

  图2 铁电资料非易失性存储器

  下面简介一款根据法拉电容的UPS电路规划思路,关键如下:

  l因为电容存在个体差异,电容存储电荷的速率不相同,存在过充形成电压超越耐压值的问题,电路中存在多颗法拉电容时需求做均压处理;

  为确保电容能够充溢电能,源端需选用恒流源充电;

  为坚持电容电压安稳,并下降充电电路功耗,需增加过压检测电路;

  若对电压高于法拉%&&&&&%自身电压上限的电源体系供给掉电续航时,Vcc_backu端需经过BOOST升压电路后以完结,且留意体系正常时(充电过程中)关断EN脚。

    

  图3 根据法拉%&&&&&%的UPS中心电路

  体系电源正常时,充电电路即给UPS充电。体系电源掉电时,UPS放电给体系供给备用电能,主张UPS在掉电后能继续给文件体系供电才能不低于10秒,在10秒续航期间内,体系能够将电源反常状况上报、及时坚持暂时重要数据、封闭文件体系,确保体系安稳性,防止文件体系在掉电状况下呈现危害,影呼使用程序的正常发动。

    

  图4 主张UPS充放电时序

  此外体系掉电状况需求掉电检测电路完结。运用一颗比较器器材即可,留意运用Output_VCC端供电,以确保外部掉电时,比较器依然能够作业。比较器负端衔接一个参阅电压,参阅电压由稳压二极管供给。正常供电时,比较器输出电压由升压电路的反应端分压决议;掉电时,比较器输出低电平,此刻处理器仍未掉电,收到状况信息可及时呼应处理。另一路掉电检测可供其它功用运用。

    

  图6体系掉电检测电路

  1.4工控职业领导品牌

  在ARM内核中心板、开发板、工控机等范畴,M6708中心板、M/A335x中心板、M/A28x中心板、EPC系列工控主板、IoT系列无线主板/网关、DCP系列经典工控机等产品中,中心板产品针对Nand-Flash有着完善的坏块办理、工控主板增加掉电维护等办法。例如分别在WinCE与Linux体系下加固Flash驱动、对操作体系进行双备份;软件与硬件信号测验对Flash进行10万次掉电实验等。

  一起,致远电子装备专业的EMC实验室、安规实验室、环境实验室等可实践模仿恶劣使用状况实验。结合优质供货商确保各产品分立器材均到达EMC工业三级规范,有杰出的静电抗性、雷击浪涌抗性、电瞬变群脉冲抗性、以及极低的EMI传导打扰状况;可完结-40℃~+85℃的工业级环境适应性。为从Flash至整套方针体系的牢靠性安全安稳供给实在保证。

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