在射频和微波频段运用的高功率电阻，大大都运用在Wilkinson功分器或许合路器产品中。为得到最好的功能，在Wilkinson功分器中运用的100欧姆阻隔电阻，有必要具有较小的等效电容，以便于下降对插入损耗的影响。别的，假如阻隔电阻运用在Wilkinson合路器中，那么其需求吸收每个输入端口的输入功率的一半。
别离电阻常常用于规划高功率衰减器。频率低的时分，这是可行的；但是在高频时，别离电阻的寄生参数会导致衰减器的特性比估计的要差。
高功率电阻具有不同的形状和尺度。运用最一般的几种分别为：表贴型电阻，具有引线（有/无 绝缘外壳）的电阻，具有引线和绝缘外壳，并安装在导电法兰上的电阻。各种高功率电阻的外形如下：
高功率电阻的规范参数
高功率电阻的首要参数包含：电阻值，最大功率容量（大大都是指在100度温度下的），功率-温度曲线和机械外形尺度。别的，最大或许典型的等效电容值有些状况下也需求供给。
电阻和最大功率这两个参数一般是比较清晰的，而且对规划师来说也很有用。相对来说，等效电容这个参数就比较含糊。大都状况下，厂商并不会供给等效电容是在何种频率下测得，以及选用哪种测验办法。
等效电容分很多种。并联等效电容是指在电阻膜和地平面之间的由射频散射场所构成的电容（如图2）。其它的等效电容比方输入和输出焊盘之间的，因为其对实践运用的影响较小，特别是在低频的时分，一般不做要点考虑。
到目前为止，高功率电阻在1MHz以上的等效电容的测验还没有规范。按照MIL-STD 202G的规范规则，等效电容的测验频率主张为：60Hz，120Hz，1KHz，10KHz和1MHz。
有人提出：在1MHz测验得出的等效电容必定能够满意MIL的规范，可是这个电容信息对期望其能作业在2.7GHz的规划师来说，一点用都没有。相同的状况也适用于作业频率为GHz频率规模的基站产品。
本文首要用来论述由EMC Rflabs公司制作的高功率电阻的等效电容测验办法。
测验办法和等效电容的提取
当高功率电阻用于射频和微波频段时，具有损传输线的特性。图3是一个电阻的集总元件模型和其高频等效电路模型。图3中的并联电容能够经过测验S参数的办法提取。但测验设备的类型、校准的技能、资料的介电常数都会影响测验成果。
为愈加形象的展现等效电容的提取进程，咱们运用500W的带引线的50欧姆电阻制作了一个如图4的样本。图3中的参阅面的树立是经过测验仪器的校准以及设置来完成的。
测验数据和建模数据
为了验证参数的提取进程，咱们运用Microwave Office树立了一个EM电阻模型。如图5显现，EM剖析得到的S参数和测验得到的S参数被一同标示在一张Smith原图上。从图中能够看出，在2.7GHz以下，测验的数据和建模的数据具有很好的相关性。
等效电容的核算
为得到电阻的并联等效电容，咱们需求用到b这个值，其恣意频率的值都能够直接从咱们举例的图中得到。
举例如下，从绿色的线（测验数据）上查到：在2.3GHz，b=1.083。将其带入下面的公式能够得出等效电容的值为1.5pF。
假如咱们按照赤色的线（建模数据）得到b，然后从头核算在2.3GHz的等效电容，其为1.55pF。这两个数据再次显现了测验数据和建模数据之间的杰出的相关性。
除了单频点的核算外，咱们在图6展现了并联电容的扫频测验成果。成果相同显现了两种办法取得的S参数具有高度的相关性。
高功率电阻广泛运用于功率分配电路。因为射频散射场在电阻膜和地之间构成的并联等效电容（并联端到地）变成了一个重要的规划参数。等效电容的典型值一般给出的都是在1MHz的频率测得的。但是，在GHz的频段，对规划来说，一个高频的等效%&&&&&%值会更有参阅含义。
