晶体管的本名是半导体三极管，是一种半导体器材。因为晶体管中参加导电的有自由电子和空穴两种载流子，因此又称为双极型晶体管。晶体管的内部含有两个PN结，外部一般有三个引出电极。晶体管的几种常见外形如图1所示，图2为晶体管的电气图形符号。晶体管对电信号具有扩大和开关等效果，运用非常广泛。它与晶闸管比较，主要有以下几点不同：
（1）晶体管能在彻底导通至彻底截止的范围内进行无级调理。
（2）晶闸管触发导通后再堵截操控信号，晶闸管仍能在必定时间内坚持导通状况；而晶体管在操控信号失电后当即关断。
（3）与晶闸管比较，晶体管的开关时间短，动态功能较好，可在较高的作业频率下作业。
功率晶体管既能够作开关器材用，也可作扩大器件用，在与晶闸管竞赛中，它更适用于开关范畴。因为功率晶体管具有自关断才能和较高的作业频率，从而在斩波器、逆变器中得到了日益广泛的运用。
三极管和晶闸管有啥差异
1、界说不同
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种操控电流的半导体器材。
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，曾经被简称为可控硅。
2、原理不同
三极管：
晶体三极管（以下简称三极管）按资料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构方式，但运用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其间，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中参加磷替代一些硅原子，
在电压影响下发生自由电子导电，而P是正极的意思（PosiTIve）是参加硼替代硅，发生很多空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其作业原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流扩大原理。关于NPN管，它是由2块N型半导体中心夹着一块P型半导体所组成，
发射区与基区之间构成的PN结称为发射结，而集电区与基区构成的PN结称为集电结，三条引线别离称为发射极e （Emitter）、基极b （Base）和集电极c （Collector）。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状况，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状况，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
晶闸管：晶闸管在作业进程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载衔接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与操控晶闸管的设备衔接，组成晶闸管的操控电路。
3、效果不同
三极管：晶体三极管具有电流扩大效果，其实质是三极管能以基极电流细小的改动量来操控集电极电流较大的改动量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
咱们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流扩大倍数，用符号“β”表明。电流扩大倍数关于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管作业时基极电流的改动也会有必定的改动。
晶闸管：晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和操控极； 晶闸管具有硅整流器材的特性，能在高电压、大电流条件下作业，且其作业进程能够操控、被广泛运用于可控整流、沟通调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
