IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处。GTR饱满压下降，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT归纳了以上两种器材的长处，驱动功率小而饱满压下降。十分合适运用于直流电压为600V及以上的变流体系如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)经过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接运用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块具有节能、设备修理便利、散热安稳等特色;当时商场上出售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块;跟着节能环保等理念的推动，此类产品在商场大将越来越多见;IGBT是动力改换与传输的中心器材，俗称电力电子设备的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新动力配备等范畴运用极广。
IGBT的作业特性：
IGBT 的静态特性
静态特性首要有伏安特性、搬运特性和开关特性。
(1)伏安特性：
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的联系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的操控，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性类似。也可分为饱满区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状况下的IGBT ，正向电压由J2 结承当，反向电压由J1结承当。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压能够做到相同水平，参加N+缓冲区后，反向关断电压只能到达几十伏水平，因而约束了IGBT 的某些运用规模。
(2)搬运特性：
IGBT 的搬运特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的联系曲线。它与MOSFET 的搬运特性相同，当栅源电压小于敞开电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状况。在IGBT 导通后的大部分漏极电流规模内， Id 与Ugs呈线性联系。最高栅源电压受最大漏极电流约束，其最佳值一般取为15V左右。
(3)开关特效：
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的联系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。虽然等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的首要部分。此刻，通态电压Uds(on) 可用下式表明
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表明：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。
由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只要很小的走漏电流存在。
IGBT的动态特性
IGBT 在开经进程中，大部分时刻是作为MOSFET 来运转的，只是在漏源电压Uds 下降进程后期， PNP 晶体管由放大区至饱满，又添加了一段延迟时刻。td(on) 为注册延迟时刻， tri 为电流上升时刻。实践运用中常给出的漏极电流注册时刻ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时刻由tfe1 和tfe2 组成。
IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路发生。当挑选这些驱动电路时，有必要根据以下的参数来进行：器材关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的状况。由于IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可运用MOSFET驱动技能进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路供给的偏压更高。
IGBT在关断进程中，漏极电流的波形变为两段。由于MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以敏捷消除，形成漏极电流较长的尾部时刻，td(off)为关断延迟时刻，trv为电压Uds(f)的上升时刻。实践运用中常常给出的漏极电流的下降时刻Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时刻
t(off)=td(off)+trv十t(f)
式中，td(off)与trv之和又称为存储时刻。
IGBT的开关速度低于MOSFET，但显着高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来削减关断时刻，但关断时刻随栅极和发射极并联电阻的添加而添加。IGBT的敞开电压约3～4V，和MOSFET适当。IGBT导通时的饱满压降比MOSFET低而和GTR挨近，饱满压降随栅极电压的添加而下降。
IGBT的判别检测：
判别极性：
首先将万用表拨在RTImes;1KΩ挡，用万用表丈量时，若某一极与其它南北极阻值为无穷大，互换表笔后该极与其它南北极的阻值仍为无穷大，则判别此极为栅极(G )其他南北极再用万用表丈量，若测得阻值为无穷大，互换表笔后丈量阻值较小。在丈量阻值较小的一次中，则判别红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
判别好坏：
将万用表拨在RTImes;10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极(C)，红表笔接IGBT 的发射极(E)，此刻万用表的指针在零位。用手指一起触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一方位。然后再用手指一起触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此刻即可判别IGBT 是好的。
检测留意事项：
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。留意判别IGBT 好坏时，必定要将万用 表拨在RTImes;10KΩ挡，因RTImes;1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判别IGBT 的好坏。此办法相同也能够用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
