传统的氮化镓(GaN)LED元件通常以蓝宝石或碳化硅(SiC)为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2或4。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6或更大)来发展GaN，因为
1GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，
现在的很多新能源车都走到了技术的瓶颈，如何进一步提升车辆的经济性？不过前不久一些日系企业发布的技术似乎又让我们看到了新的曙光，这就是应用于新能源汽车的SiC（碳化硅）半导体及其零部件。什么是碳化硅？这
说实话，现在的很多新能源车都走到了技术的瓶颈，如何进一步提升车辆的经济性成为工程师们挠头的问题，不过前不久一些日系企业发布的技术似乎又让我们看到了新的曙光，这就是应用于新能源汽车的SiC（碳化硅）半导
1GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，
1GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，
GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、Ga
摘要本文评测了主开关采用意法半导体新产品650VSiCMOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开
碳化硅电力电子器件的发展现状分析-SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极
