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防止IGBT不良反应的阻隔驱动7条经历

IGBT技术大多应用在大功率电源场合,要在这些场合应用,首先就需要拥有避免欠压、米勒效应、过载一类的不良反应。因此在隔离驱动IGBT功率器件的设计上

IGBT技能大多运用在大功率电源场合,要在这些场合运用,首要就需求具有防止欠压、米勒效应、过载一类的不良反应。因此在阻隔驱动IGBT功率器材的规划上就需求相应的规划技巧。本文将为针对防止不良反应为前提来介绍IGBT功率器材规划的八种技巧。

怎么防止米勒效应

IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种作用是显着的在0到15V类型的门极驱动器(单电源驱动器)。门集-电极之间的耦合,在于IGBT关断期间,高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通(门集电压尖峰),这是潜在的风险。

当上半桥的IGBT翻开操作,dVCE/dt电压改变发生跨过下半桥的IGBT。电流会流过米勒的寄生电容,门极电阻和内部分极驱动电阻。这将倒至门极电阻电压的发生。假如这个电压超越IGBT门极阈值的电压,可能会导致寄生IGBT道通。

有两种传统解决方案。首要是增加门极和发射极之间的电容。第二个解决办法是运用负门极驱动。第一个解决方案会形成功率丢失。第二个解决方案所需的额定费用为负电源电压。

解决方案是经过缩短门极-发射极的途径,经过运用一个额定的晶体管在于门极-发射极之间。到达必定的阈值后,晶体管将短路门极-发射极区域。这种技能被称为有源米勒钳位。

毛病维护功用有哪些?都是集成在阻隔驱动器里吗?

3种毛病维护功用都集成到Avago的高集成栅极驱动器ACPL-33xJ里-UVLO(以防止VCC2电平不满足时敞开IGBT),DESAT(以维护IGBT过电流或短路),和米勒钳位(以防止寄生米勒电容形成的IGBT误触发)。

关于作业于600V直流母线的30~75A、1200VIGBT而言,ACPL-33x、ACPL-H342这5颗带miller钳位维护的栅极驱动光耦能否仅以单电源供电就能完成高牢靠性驱动,比较于传统的正负供电,牢靠性是更高,仍是有所缺乏?

AvagoACPL-332J,ACPL-333J以及ACPL-H342的门极驱动光耦能够输出电流2.5A。这些产品合适驱动1200V,100A类型的IGBT。

1、当运用负电源,就不需求运用米勒箝位,但需花额定费用在负电源上。

2、假如只要单电源可运用,那么规划者能够运用内部内置的有源米勒箝位。

这两种解决办法相同牢靠。米勒箝引脚在不运用时,需求连接到VEE。

欠压、缺失饱满怎么更好的被防止?

AVAGO门极驱动光耦带有欠压闭锁(UVLO)维护功用。当IGBT毛病时,门极驱动光耦供电的电压可能会低于阈值。有了这个闭锁维护功用能够保证IGBT持续在低电阻状况。

智能门极驱动光耦,HCPL-316J和ACPL-33xJ,顺便DESAT检测功用。当DESAT引脚上的电压超越约7V的内部参阅电压,而IGBT仍然在运转中,后约5μs,Fault引脚改成逻辑低状况,以告诉MCU/DSP。

在同一时间,那1X小粒晶体管会导通,把IGBT的栅极电平经过RG电阻来放电。因为这种晶体管比实践关断晶体管更小约50倍,IGBT栅极电压将被逐渐放电导致所谓的软关机。

光耦的作业环境温度规模

作业环境温度规模可达-40°C至105°C。在工业运用状况下是满足的。假如客户需求更高的作业温度,R2 Coupler光耦能够运作在扩展温度到达125°C。

光耦绝缘耐压

门极驱动光耦有不同的封装。每个封装都有其本身的特色-如不同的爬电间隔和空隙,以合作不同的运用。不同的爬电间隔和空隙对应于不同的作业绝缘电压,Viorm。最大Viorm从566V至2262V之间。

光耦栅极驱动器最高的输出电流

依据挑选的器材类型,Avago的光耦门极驱动器最大输出电流能够到达0.4A、0.6A、1.0A、1.5A、2.5A、3.0A、4.0A、5.0A。

本文经过7个方面临阻隔驱动IGBT功率器材,在电路规划中怎么防止短路、米勒效应等IGBT不良反应状况的呈现的办法进行了介绍,本文内容较多,关于初级入门的读者来说可能要进行重复的阅览,才干了解其间的常识,我们无妨保藏本文,便利随时阅览。

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