导言
在微缩CMOS和精细模仿CMOS技能中对偏压温度不稳定性——负偏压温度不稳定性(NBTI)和正偏压温 度不稳定性(PBTI)——监测和操控的需求不断添加。 当时NBTI1 的JEDEC标准将“丈量间歇期的NBTI康复” 视为促进可靠性研究人员不断完善测验技能的要害。 简略来说，当吊销器材应力时，这种功能的劣化就开端“愈合”。这意味着慢间歇期丈量得出的寿数猜测 成果将过于达观。因而，劣化特性剖析得越快，(劣 化)康复对寿数猜测的影响越小。此外，试验数据显现被测的劣化时刻斜率(n)很大程度取决于丈量时 延和丈量速度。2 因而，为了最小化丈量延时并进步 丈量速度开发了几种丈量技能。
什么是BTI?
偏压温度不稳定性(BTI)指当MOS FET受温度应 力影响时阈值电压(VTH)不稳定的现象。通常在125℃、 漏极和源极接地的条件下，升高栅极电压来测验FET。 随时刻推迟，VTH 将增大。关于逻辑器材和存储器材等 运用而言，VTH 呈现10%的偏移就会使电路失效。关于匹配双晶体管等模仿运用而言，呈现更小的偏移就会 使电路失效。影响FET匹配的许多工艺误差能够通过 增大晶体管面积来平缓，剩余的约束要素是BTI。
即时(OTF)法
Denais等人3 提出了一种用VTH 偏移相关的间接丈量将间歇期丈量的康复减至最小的办法。间歇期丈量 序列通过仅3次丈量缩短“无应力”时刻，如图1所示。 这种办法简直能用任何一种参数丈量体系完结，仅仅 完结的程度有所不同。但大多数GPIB操控的仪器都缺 乏灵活性并受限于GPIB通讯时刻和仪器内部速度;因而在丈量过程中器材仍会坚持将近100ms的无应力时 间。这些局限性不便于观测在时刻极限(约100ms) 内劣化和康复的状况。吉时利2600系列源表共同的架 构能在约2ms的时刻内完结Denais的OTF间歇期丈量并使测验结构回至应力状况。
通过一段时刻，构成、提出了Denais理念的各种改变 方式，乃至将其运用于惯例运用中以监测工艺引起的BTI 偏移。这儿的每一种办法都有优缺点。本运用笔记将讨论 BTI运用实践完结有关的仪器要求，而且将查看用于劣化 和康复剖析的几种办法。
高速源和丈量
完结OTF技能的要害要素是选用高速源丈量单元或SMU。
高速SMU具有许多要害功能：
• 接连丈量速度快，接连丈量的距离小于100μs。
• 微秒分辨率时刻戳保证正确的守时剖析。
• 精细电压源满意漏极小偏压的要求。
• 源快速树立完结了源-丈量最高速度。
• 大数据缓冲区保证接连监测器材的劣化和康复。
