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功用：完成对DS18B20的读取
原理：单总线协议
留意：单总线协议对延时要求比较严厉，此程序中选用的是11.0592M的晶振，假如运用其他的晶振请跟据DS18B20的材料修正延时参数
版别：1.4b
最终修正时刻：2004年11月8号
开发人：鞠春阳
版权：哈尔滨众邦龙开发有限公司www.hitzbl.com 单片机坐标网：www.mcuzb.com
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//#include”reg51.h”
sbit DQ =P1^4; //界说通讯端口
//延时函数
/*
void delay(unsigned int i)
{
while(i–);
}
*/
//初始化函数
Init_DS18B20(void)
{
unsigned char x=0;
DQ = 1; //DQ复位
delay(8); //稍做延时
DQ = 0; //单片机将DQ拉低
delay(80); //准确延时 大于 480us
DQ = 1; //拉高总线
delay(14);
x=DQ; //稍做延时后 假如x=0则初始化成功 x=1则初始化失利
delay(20);
}
//读一个字节
ReadOneChar(void)
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat = 0;
for (i=8;i>0;i–)
{
DQ = 0; // 给脉冲信号
dat>>=1;
DQ = 1; // 给脉冲信号
if(DQ)
dat|=0x80;
delay(4);
}
return(dat);
}
//写一个字节
WriteOneChar(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0;
for (i=8; i>0; i–)
{
DQ = 0;
DQ = dat&0x01;
delay(5);
DQ = 1;
dat>>=1;
}
//delay(4);
}
//读取温度
ReadTemperature(void)
{
unsigned char a=0;
unsigned char b=0;
unsigned int t=0;
float tt=0;
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); // 越过读序号列号的操作
WriteOneChar(0x44); // 发动温度转化
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); //越过读序号列号的操作
WriteOneChar(0xBE); //读取温度寄存器等（共可读9个寄存器） 前两个便是温度
a=ReadOneChar();
b=ReadOneChar();
t=b;
t<<=8;
t=t|a;
tt=t*0.0625;
//t= tt*10+0.5; //扩大10倍输出并四舍五入—此行没用
return(t);
}
main()
{
unsigned char i=0;
while(1)
{
i=ReadTemperature();//读温度
}
}
