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产品概况
HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关,额外频率规模为100 MHz至 4 GHz。
HMC349AMS8G十分合适蜂窝基础设施使用,可完成57 dB高阻隔、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。
HMC349AMS8G选用3 V至5 V单正电源供电,供给CMOS/TTL兼容操控接口。
HMC349AMS8G选用带exposed pad的8引脚超小型封装。
使用
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 移动无线电
- 测验设备
优势和特色
- 非反射式50 Ω规划
- 高阻隔度:57 dB至2 GHz
- 低插入损耗:0.9 dB至2 GHz
- 高输入线性度
- 1 dB功率紧缩(P1dB):34 dBm(典型值)
- 三阶交调截点(IP3):52 dBm(典型值)
- 高功率处理
- 33.5 dBm(经过途径)
- 26.5 dBm端接途径 单正电源:3 V至5 V
- CMOS/TTL兼容操控
- 悉数关断状况操控
- 带exposed pad的8引脚超小型封装(MINI_SO_EP)
HMC349AMS8G电路图
HMC349AMS8G中文PDF下载地址
HMC349AMS8G下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/HMC349AMS8G.pdf