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HMC349AMS8GSPST、SPDT、SP3T、SP4T、SP5T、SP6T、SP8T参数介绍及中文PDF下载

HMC349AMS8G相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,HMC349AMS8G供应信息

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产品概况

HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关,额外频率规模为100 MHz 4 GHz

HMC349AMS8G十分合适蜂窝基础设施使用,可完成57 dB高阻隔、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP334 dBm高输入P1dB

HMC349AMS8G选用3 V5 V单正电源供电,供给CMOS/TTL兼容操控接口。

HMC349AMS8G选用带exposed pad8引脚超小型封装。

使用

  • 蜂窝/4G基础设施
  • 无线基础设施
  • 移动无线电
  • 测验设备

优势和特色

  • 非反射式50 Ω规划
  • 高阻隔度:57 dB至2 GHz
  • 低插入损耗:0.9 dB至2 GHz
  • 高输入线性度
    • 1 dB功率紧缩(P1dB):34 dBm(典型值)
    • 三阶交调截点(IP3):52 dBm(典型值)
  • 高功率处理
    • 33.5 dBm(经过途径)
    • 26.5 dBm端接途径 单正电源:3 V至5 V
  • CMOS/TTL兼容操控
  • 悉数关断状况操控
  • 带exposed pad的8引脚超小型封装(MINI_SO_EP)

HMC349AMS8G电路图

HMC349AMS8G

HMC349AMS8G中文PDF下载地址

HMC349AMS8G下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/HMC349AMS8G.pdf

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