与SiC和GaN比较，β-Ga2O3有望以低成本制作出高耐压且低丢失的功率半导体元件，因此引起了极大重视。关键源于日本信息通讯研讨机构等的研讨小组开宣布的β-Ga2O3晶体管。下面请这些研讨小组的技术人员，以论文方式介绍一下β-Ga2O3的特色、研制效果以及往后的开展。
咱们一直在致力于运用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体元件（以下简称功率元件）的研制。Ga2O3与作为新一代功率半导体资料推动开发的SiC和GaN比较，有望以低成本制作出高耐压且低丢失的功率元件。其原因在于资料特性超卓，比方带隙比SiC及GaN大，并且还可运用可以高品质且低成本制作单结晶的“溶液生长法”。
在咱们瞄准的功率元件运用中，运用Ga2O3试制了“MESFET”（metal-semiconductorfield effect transistor，金属半导体场效应晶体管）。尽管是未形成保护膜（钝化膜）的十分简略的结构，但试制品显现出了耐压高、走漏电流小的特性。而运用SiC及GaN来制作相同结构的元件时，要想实现像试制品这样的特性，则是十分难的。
尽管研制尚处于初期阶段，但咱们以为Ga2O3的潜力巨大。本论文将介绍Ga2O3在功率元件用处方面的运用价值、研制效果，以及往后的方针等。
