贴片电容的品种和特色
单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是现在用量比较大的常用元件,就AVX公司出产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的标准,不同的标准有不同的用处。下面咱们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的功能和运用以及收购中应留意的订购事项以引起咱们的留意。不同的公司关于上述不同功能的电容器或许有不同的命名办法,这儿咱们引证的是AVX公司的命名办法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的首要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下因为填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量安稳性等也就不同。所以在运用电容器时应根据电容器在电路中效果不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最安稳的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量改变为0±30ppm/℃,电容量随频率的改变小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是能够忽略不计的。其典型的容量相对运用寿命的改变小于±0.1%。NPO电容器随封装方式不同其电容量和介质损耗随频率改变的特性也不同,大封装尺度的要比小封装尺度的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量规模。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 0.5—1000pF 0.5—820pF
1206 0.5—1200pF 0.5—1800pF
1210 560—5600pF 560—2700pF
2225 1000pF—0.033μF 1000pF—0.018μF
NPO电容器合适用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器
X7R电容器被称为温度安稳型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量改变为15%,需求留意的是此刻电容器容量改变对错线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时刻的改变而改变,大约每10年改变1%ΔC,表现为10年改变了约5%。
X7R电容器首要运用于要求不高的工业运用,并且当电压改变时其容量改变是能够承受的条件下。它的首要特色是在相同的体积下电容量能够做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量规模。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 330pF—0.056μF 330pF—0.012μF
1206 1000pF—0.15μF 1000pF—0.047μF
1210 1000pF—0.22μF 1000pF—0.1μF
2225 0.01μF—1μF 0.01μF—0.56μF
三 Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这儿首要需求考虑的是运用温度规模,关于Z5U电容器首要的是它的小尺度和低成本。关于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不安稳,因为它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、杰出的频率响应,使其具有广泛的运用规模。尤其是在退耦电路的运用中。下表给出了Z5U电容器的取值规模。
封 装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF—0.12μF 0.01μF—0.1μF
1206 0.01μF—0.33μF 0.01μF—0.27μF
1210 0.01μF—0.68μF 0.01μF—0.47μF
2225 0.01μF—1μF 0.01μF—1μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度规模 +10℃ — +85℃
温度特性 +22% —- -56%
介质损耗 最大 4%
四 Y5V电容器
Y5V电容器是一种有必定温度约束的通用电容器,在-30℃到85℃规模内其容量改变可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数答应在较小的物理尺度下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值规模如下表所示
封 装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF—0.39μF 0.01μF—0.1μF
1206 0.01μF—1μF 0.01μF—0.33μF
1210 0.1μF—1.5μF 0.01μF—0.47μF
2225 0.68μF—2.2μF 0.68μF—1.5μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度规模 -30℃ — +85℃
温度特性 +22% —- -82%
介质损耗 最大 5%
贴片电容器命名办法可到AVX网站上找到。不同的公司命名办法或许略有不同。
