晶体管的置换（代换）准则
在修理、规划和试验或试制中，常常会碰到晶体管的代换问题。假如把握了晶体管的置换（代换）准则，就能使作业初有成效。其置换（代换）准则可划分为三种：即类型相同、特性附近、外形类似。
一、类型相同
1.资料相同。即锗管换锗管，硅管换硅管。
2.极性相同。即NPN型管换NPN型管，PNP型管换PNP型管。
3.实践类型相同，标示办法不同，如：D1555同2SD1555;R1201同GR1201;3DG9014同9014；贴片管用代号来代表原类型等。但不扫除同一类型由于生产厂家的不同，参数不同极大的状况。
二、特性附近
用于置换（代换）的晶体管应与原晶体管的特性要附近，它们的首要参数值及特性曲线应相差不多或优于原管，关于不同的电路，应有所侧重。一般来说，只需下述首要参数附近，即可满意置换（代换）要求。
1.集电极最大直流耗散功率(Pcm)
一般要求用Pcm与原管持平或较大的晶体管进行置换（代换）。假如原晶体管在整机电路中实践直流耗散功率远小于其Pcm，也可以用Pcm较小的晶体管置换（代换）。
2.集电极最大答应直流电流（Icm）
一般要求用Icm与原管持平或较大的晶体管进行置换（代换）。
实践不同厂家关于Icm的规则有所不同，有时不同很大，咱们要注意到厂家给出的测验条件。常见的有以下几种：
⑴依据集电极引线答应经过的最大电流值确认Icm。这个数值或许很大，例如，一只Pcn=200mW的晶体管，其Icm或许会超越1A。
⑵依据Pcm确认Icm，即Pcm=Icm×Uce确认Icm。这个规则下的Pcm值比一般晶体管较小，比开关管较大，例如Pcm都是10W的一般晶体管2SC2209和开关管2SC2214，其Icm值却分别为1.5A和4A。
⑶依据晶体管参数（饱满压降、电流放大系数等）答应改变的极限值确认Icm。例如3DD103A晶体管的Icm是按其β值下降到实测值的1/3时确认的（Icm=3A）。
3.击穿电压
用于置换（代换）的晶体管，有必要可以在整机中安全地接受最高作业电压。晶体管的击穿电压参数首要有以下5个：
⑴BVcbo：集电极-基极击穿电压。它是指发射极开路，集电极电流Ic为规则值时，集电极-基极间的电压降（该电压降称为对应的击穿电压，以下的相同）。
⑵BVceo：集电极-发射极击穿电压。它是指基极开路，集电极电流Ic为规则值时，集电极-发射极的电压降。
⑶BVces：基极-发射极短路，集电极-发射极的击穿电压。
⑷BVcer：基极-发射极串联电阻，集电极-发射极的电压降。
⑸BVebo：集电极开路，发射极-基极的击穿电压。
在晶体管置换（代换）中，首要考虑BVcbo和BVceo，关于开关晶体管还应考虑BVebo。一般来说，同一晶体管的BVcbo＞BVceo。一般要求用于置换（代换）的晶体管，其上述三个击穿电压应不小于原晶体管对应的三个击穿电压。
4.频率特性
晶体管频率特性参数，常用的有以下4个：
⑴特征频率fT：它是指在测验频率足够高时，使晶体管共发射极电流放大系数β=1时的频率。
⑵β截止频率fβ：在共发射极电路中，输出端沟通短路时，电流放大系数β值，下降到低频（1kHz）β值70.7%（3dB）时的频率。
⑶α截止频率fα：在共基极电路中，输出端沟通短路时，电流放大系数α值下降到低频（1kHz）β值70.7%（3dB）时的频率。
⑷最高振动频率fmax：当晶体管的功率增益为1时的作业频率。
在置换（代换）晶体管时，首要考虑fT与fβ。一般要求用于置换的晶体管，其fT与fβ应不小于原晶体管对应的fT与fβ。半导体管有高频管和低频管之分，晶体管ft低于3M为低频管，场效应管低于303MH,反之，为高频管。
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5.其他参数
除以上首要参数外，关于一些特别的晶体管，在置换（代换）时还应考虑以下参数：
⑴关于低噪声晶体管，在置换（代换）时应当用噪声系数较小或持平的晶体管。
⑵关于具有自动增益控制功能的晶体管，在置换（代换）时应当用自动增益控制特性相同的晶体管。
⑶关于开关管，在置换（代换）时还要考虑其开关参数，是否是带有内置电阻。
三、外形类似
小功率晶体管一般外形均类似，只需各个电极引出脚标志清晰，且引出线摆放次序与待换管共同，即可进行替换。
大功率晶体管的外形差异较大，置换（代换）时应挑选外形类似、装置尺度相同的晶体管，以便装置和坚持正常的散热条件。如真实没有，也可以用塑封管替代铁封管。
把握以上准则，在作业中就像如虎添翼，游刃有余。
