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在仿真功率MOS管时引发的考虑

在实际产品中经常用功率MOS管来做电源的开关,用来关闭电路的某一部分,从而减少能量的消耗。电路如下:在这里EN的电压为5V或是0V,在没有看仿真结果以前我想当然的认

  在实践产品中经常用功率MOS管来做电源的开关,用来封闭电路的某一部分,然后削减能量的耗费。

  电路如下:

  

 

  在这里EN的电压为5V或是0V,在没有看仿真成果曾经我想当然的以为,成果应该是EN = 0V ,Vout = oV;EN = 5V,Vout = 5V;

  但是仿真成果让我大吃一惊奇,成果是:

  EN = 0V ,Vout = 5V;EN = 5V,Vout = 4.96V;

  这样的成果让我百思不得其解,并且这样的电路在产品中应用了许多,一个问题也没有,理论上也没有问题,但是为什么仿真的成果会是这个姿态。想了好几天,也和朋友评论了许屡次,但是仍是没有得到正确的答案。直到我想到了一个问题,然后在电路后边加了一个5 Ohm的负载。加了负载后的成果是。

  EN = 0V ,Vout = oV;EN = 5V,Vout = 4.96V;

  和理论相符合。

  

 

  为什么加了一个5 Ohm的电阻后会有这样的改变呢?请看下图我从IRF7404标准书中截取的一小部分。

  

 

  对,是漏电流搞的鬼,尽管漏电流很小,但电压表的阻抗很大,成果就让在没带负载的情况下让电压显现为5V.

  因而实践仿真中,需求接上一个电阻测电压,不能直接将地和引脚相连测电压.

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